| 主权项 |
1.一种具有一发射部分的浸渍阴极,该发射部分包括一由一硷土金属化合物浸制的多孔粒,该小粒被置于一由耐火材料制成的托盘内,并且被覆盖一用于形成该阴极之发射面的多孔金属箔,其中该小粒有一分离面,其位于一重浸渍区与一无浸渍或轻浸渍区之间,该分离面包括至少一凹形部分面向该发射面。2.如申请专利范围第1项之浸渍阴极,其中该凹形部分及该发射面之间的该空间有至少部分无任何材料。3.如申请专利范围第2项之浸渍阴极,其中该凹形部分及该发射面之间的真空区藉由至少一通道与该外部空间相通。4.如申请专利范围第1项之浸渍阴极,其中该分离面的该凹形部分系藉由该小粒的该浸渍剂之选择性溶解获得。5.如申请专利范围第1项之浸渍阴极,其中该凹形部分系一球形表面之一部分。6.如申请专利范围第1项之浸渍阴极,其中该凹形部分的该表面积比该发射面面积大至少20%。7.如申请专利范围第1项之浸渍阴极,其中该小粒的该表面包含该凹形部分周围的一防止放射性材料扩散的密封金属障壁。8.如申请专利范围第7项之浸渍阴极,其中该金属障壁由一高熔点的金属合金所组成。9.一种具有一浸渍阴极的阴极射线管,该浸渍阴极包括该发射部分,该发射部分包括一由一硷土金属化合物浸制的多孔粒,该小粒被置于一由耐火材料制成的托盘内,并且被覆盖一用于形成该阴极之发射面的多孔金属箔,其中该小粒有一分离面,其位于一量浸渍区与一无浸渍或轻浸渍区之间,该分离面包括至少一凹形部分面向该发射面。图式简单说明:-图1系说明依照先前技术的一浸渍阴极之具体实施例。-图2显示本发明的第一具体实施例。-图3系说明依照本发明的一阴极之变更的具体实施例。 |
