| 主权项 |
1.一种制造HBT的方法,该方法包含步骤:形成一下层集极;在该下层集极上制作一集极,该集极包含一中度掺杂集极层于邻近该下层集极处及一低掺杂集极层于该中度掺杂集极层上;成长一基极于该集极上;沉积一封极于该基极上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该中度掺杂集极层包含GaAs,其系被掺杂以约51016cm-3至约11018cm-3间之矽。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之中度掺杂集极层系大约于1000埃至约5000埃厚之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之低掺杂集极层包含被掺杂以约11016cm-3至约31016cm-3矽的GaAs。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之低掺杂集极层系于约0.5微米至约1.0微米厚。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之集极更包含一中度/高掺杂集极层沉积于该低掺杂集极层及该基极之间。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之中度/高掺杂集极层包含被掺杂以约21016cm-3至约31018cm-3间之矽的GaAs。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之中度/高掺杂集极层系于约100埃至约500埃厚。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之低掺杂集极层包含被掺杂以约11015cm-3至约51015cm-3之碳的GaAs。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下层集极包含被掺杂以约51018cm-3矽的GaAs。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基极包含被掺杂有约41019cm-3之碳的GaAs。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该射极包含由InGaP及GaAs所构成之群组所选出之材料。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该射极系被掺杂以约31017cm-3的矽。14.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含步骤:形成一第一及一第二射极盖层;在该射极、该基极及该集极上,作出金属接触图案。15.一种HBT结构,包含:一下层集极;一集极,该集极包含二中度掺杂集极层于接触该下层集极处及一低掺杂集极层在该中度掺杂集极层上;一基极在该集极上;一射极在该基极上。16.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该中度掺杂集极层包含被掺杂以约51016cm-3至约11018cm-3间之矽的GaAs。17.如申请专利范围第16项所述之结构,其中上述之中度掺杂集极层系大约于1000埃至约5000埃厚之间。18.如申请专利范围第15项所述之结构,其中上述之低掺杂集极层包含被掺杂以约11016cm-3至约31016cm-3矽的GaAs。19.如申请专利范围第18项所述之结构,其中上述之低掺杂集极层系于约0.5微米至约1.0微米厚。20.如申请专利范围第15项所述之结构,其中上述之集极更包含一中度/高掺杂集极层沉积于该低掺杂集极层及该基极之间。21.如申请专利范围第20项所述之结构,其中上述之中度/高掺杂集极层包含被掺杂以约21016cm-3至约31018cm-3间之矽的GaAs。22.如申请专利范围第21项所述之结构,其中上述之中度/高掺杂集极层系于约100埃至约500埃厚。23.如申请专利范围第22项所述之结构,其中上述之低掺杂集极层包含被掺杂以约11015cm-3至约51015cm-3之碳的GaAs。24.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该下层集极包含被掺杂以约51018cm-3之矽的GaAs。25.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该基极包含被掺杂有约41019cm-3之碳的GaAs。26.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该射极包含由InGaP及GaAs所构成之群组所选出之材料。27.如申请专利范围第26项所述之结构,其中该射极系被掺杂以约31017cm-3的矽。28.如申请专利范围第15项所述之结构,更包含:一第一及一第二射极盖层;在该射极、该基极及该集极上有接触。图式简单说明:第1图为利用传统方法制造之HBT的特性剖面图;第2图为依据本发明一实施例制造之HBT的部份特性的剖面图;第3图为依据本发明一实施例制造之HBT的部份特性的剖面图;第4图为依据本发明一实施例制造之HBT的部份特性的剖面图;及第5图为一流程图,显示用以实施本发明之一实施例的例示步骤。 |
