发明名称 具氧化障壁层之电容器及其制造方法
摘要 本发明系提供电容器及其制造方法,其系应用于防止下层电极于后续热处理制程中被氧化。此电容器包括:一下层电极;形成于下层电极上之氧化障壁层,其中该氧化障壁层系至少由双重氮化层所形成;一形成于氧化障壁层上之介电层;及一形成于介电质上之上层电极。
申请公布号 TW200400645 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW091136875 申请日期 2002.12.20
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 吴勋静;金京民;朴锺范
分类号 H01L29/92;H01L21/76 主分类号 H01L29/92
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 韩国