| 摘要 |
本发明揭示一种制造一磁性记忆体装置的方法，该磁性记忆体装置包括一写入字元线（第一接线）和一位元线（第二接线）以三度空间方式成直角彼此交错，其间有一TMR装置，一第一光罩做为该TMR装置的光罩形状形成，该TMR装置系利用该第一光罩当作光罩所形成，其后一第二光罩用来形成一接线以连接该TMR装置至该装置下方侧上一接线形成，同时导致至少一部份的该第二光罩与该第一光罩重叠，以致该第一光罩成为在该接线某一末端上的一光罩，并利用该等第一和第二光罩形成一连接接线，用以连接该TMR装置至该装置下方侧上的接线。 |
