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1.一种改善非晶矽薄膜基板之制程方法,系应用于 半导体制程非晶矽薄膜基板与光阻涂布(Coating)、 微影(Photolithography)及蚀刻(Etching)制程阶段间,透过 外部能量在非晶矽薄膜基板(a-:Si:H-substrate)上进行 交互作用作为改善非晶矽薄膜基板上内部元件之 能态分布,进而提高其整体高频信号电性效能者, 其主要流程步骤包括有: a)、先于半导体制程设备上配置一基板; b)、待,完成配置一基板后,直接镀覆一非晶矽薄膜 (a-:Si:H)于基板上,即完成一非晶矽薄膜基板结构; 及 c)、待,前述之非晶矽薄膜基板制作完成后,随即以 一能量束(energy beam)照射穿透非晶矽薄膜基板并累 计至一定剂量(dosage),进而增进非晶矽薄膜基板内 元件之电子迁移率,并赋予提升非晶矽薄膜基板内 部元件之整体电性效能,再直接于非晶矽薄膜基板 上执行光阻涂布、微影及蚀刻制程形成一元件层; d)、待,前述之非晶矽薄膜基板以一能量束(energy beam)照射完成后,以金属电极蒸镀(Evaporation)非晶矽 薄膜基板内元件,如是,提供一种可进行完整操作 流程且成本相对低廉之改善非晶矽薄膜基板制程 方法。2.如申请专利范围第1项所述之改善非晶矽 薄膜基板之制程方法,其中,该基板可视元件之制 程采用玻璃材质或矽晶圆材质。3.如申请专利范 围第1项所述之改善非晶矽薄膜基板之制程方法, 其中,该非晶矽薄膜系由低温化学气相沈积法产生 。4.如申请专利范围第1项所述之改善非晶矽薄膜 基板之制程方法,其中,该非晶矽薄膜基板内部元 件系主要为萧基二极体、太阳能电池及多晶矽等 。5.如申请专利范围第4项所述之改善非晶矽薄膜 基板之制程方法,其中,该萧基二极体系为P Type heavily doped低电阻晶圆所形成之基板。6.如申请专 利范围第4项所述之改善非晶矽薄膜基板之制程方 法,其中,该太阳能电池系为N Type heavily doped低电阻 晶圆所形成之基板。7.如申请专利范围第1项所述 之改善非晶矽薄膜基板之制程方法,其中,该能量 束照射至基板之一定剂量系为100~1500kGy。8.如申请 专利范围第1项所述之改善非晶矽薄膜基板之制程 方法,其中,该能量束系可为一加马射线(gamma-ray)或 X射线(X-ray)之一种而形成。9.如申请专利范围第8 项所述之改善非晶矽薄膜基板之制程方法,其中, 该加马射线(gamma-ray)系为高能量及穿透力强而且 本身不具质量且于穿透基板不易使材质本身产生 晶格缺陷之电磁波。10.如申请专利范围第1项所述 之改善非晶矽薄膜基板之制程方法,其中,该非晶 矽薄膜与其下基板间具有厚度数为10nm之金属中介 层,该金属中介层系为铝、金、钼等以增加非晶矽 薄膜之附着力及降低电阻。11.如申请专利范围第1 项所述之改善非晶矽薄膜基板之制程方法,其中, 该非晶矽薄膜(a-:Si:H)之厚度约为80-1000nm,并藉铝、 金、钼之金属在一般常温下进行蒸镀形成金属薄 膜作为电极以增加其附着力。图式简单说明: 第1图:系本发明整体非晶矽薄膜基板之制程方法 流程图。 第2图:系本发明改善萧基二极体之制程流程示意 图。 第3图:系本发明改善太阳能电池之制程流程示意 图。 |
