发明名称 光导波路型反射格栅及其制造方法
摘要 本发明之光导波路型反射格栅之制造方法,系为包括添加有随所订定波长之折射率变化诱发光的照射而产生折射率变化之添加物的光导波区域,以及拥有所订定之凹凸模式的相位格栅,其特征在于:为使前述折射率变化诱发光之0次穿透光与2次反射光之干涉光的变调强度,成为0次穿透光与2次反射光之间未发生光路差时的变调强度之85%以下,须使于该0次穿透光与2次反射光之间仅产生所订定之光路差之距离将前述光导波路与前述相位格栅分离配置,将前述折射率变化诱发光入设于前述相位格栅中,于前述光导波路之前述光导波区域内形成1次反射光之干涉带,于该光导波区域形成反射格栅者。基于本发明,提供可制造出于原本应该于通过波长区域0.9λB~0.95λ B(λB为遮断峰值波长)之遮断量充分减小,达到制造容易之光导波路型反射格栅之制造方法。
申请公布号 TW569041 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW090111930 申请日期 2001.05.18
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 大村真树;井上享;桥本健
分类号 G02B5/18;G02B6/16;G02B6/10;G02B6/34 主分类号 G02B5/18
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;何秋远 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种光导波路型反射格栅之制造方法,包括添加 有随所订定波长之折射率变化诱发光的照射而产 生折射率变化之添加物的此种光导波区域,以及拥 有所订定之凹凸模式的相位格栅, 其特征在于,为使前述折射率变化诱发光之0次穿 透光与2次反射光之干涉光的变调强度,成为该0次 穿透光与2次反射光之间未发生光路差时的变调强 度之10%以上85%以下,须于该0次穿透光与2次反射光 之间仅产生所订定之光路差之距离,将前述光导波 路与前述相位格栅分离配置, 将前述折射率变化诱发光入射于前述相位格栅中, 于前述光导波路之前述光导波区域内形成1次反射 光之干涉带,于该光导波区域形成短周期反射格栅 者。2.一种光导波路型反射格栅,其特征在于,系以 申请专利范围第1项之光导波路型反射格栅之制造 方法制成。3.如申请专利范围第2项之光导波路型 反射格栅,其中包含该遮断値波长B且幅度15nm 以上120nm以下之遮断波长区域的遮断量为20dB以上 50dB以下,波长区域0.9B~0.95B的遮断量为0dB以上1 dB以下者。4.如申请专利范围第2项之光导波路型 反射格栅,其中包含该遮断値波长B且幅度0.2nm 以上1.6nm以下之遮断波长区域的遮断量为20dB以上 50dB以下,波长区域0.9B~0.95B的遮断量为0dB以上0 .2dB以下者。图式简单说明: 第1图所示为说明0次穿透光与2次反射光之光路差 之说明图。 第2图所示为显示相位格栅与光导波路之光轴中心 之间的光学距离,以及0次穿透光与2次反射光之间 光路差的关系之曲线图。 第3图所示为光路差与经规格化后干涉光的变调强 度之间关系的曲线图。 第4图所示为有关本实施例型态之光导波路型反射 格栅的制造方法之说明图。 第5图所示为为求得光学距离D的上限値Dmax,0次穿 透光与1次反射光的位置关系示意图。 第6图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之间 的距离为100m时,所制造之光导波路型反射格栅 的损耗波段示意图。 第7图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之间 的距离为300m时,所制造之光导波路型反射格栅 的损耗波段示意图。 第8图所示为光纤表面与相位格栅表面之间的距离 ,与在波长1520nm时与损耗峰値之间关系的曲线图。 第9图所示为光纤表面与相位格栅表面之间的距离 ,与欲使于遮断峰値波长B遮断量达到30dB以上而 所需折射率变化诱发光之照射时间之间关系的曲 线图。 第10图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之 间的距离为100m时,宽部遮断区域幅度之光导波 路型反射格栅的穿透波段示意图。 第11图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之 间的距离为1000m时,宽部遮断区域幅度之光导波 路型反射格栅的穿透波段示意图。 第12图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之 间的距离为100m时,狭部遮断区域幅度之光导波 路型反射格栅的穿透波段示意图。 第13图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之 间的距离为600m时,狭部遮断区域幅度之光导波 路型反射格栅的穿透波段示意图。 第14图所示为当光纤的表面与相位格栅的表面之 间的距离分别为100m(L1所示)、300m(L2所示)、600 m(L3所示)时,于穿透波长区域0.9B~0.95B附近之 放射损耗的曲线图。 第15图所示为当设穿透波长区域为0.9B~0.95B,于 1.52m范围附近,放射损耗与相位格栅——即与光 纤表面间隔关系之曲线图。
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