| 主权项 |
1.一种平坦化导电薄膜之方法,该方法至少包含下 列步骤: 形成一导电薄膜于一基板之上表面; 施加一偏压于该导电薄膜,并同时对该导电薄膜进 行乾式蚀刻,用以平坦化(planarization)该导电薄膜表 面; 其中,该导电薄膜的粗糙尖端(spike)因尖端放电效 应,产生较大的电场,而得到较高的蚀刻率,可有效 平坦化该氧化铟锡薄膜表面。2.如申请专利范围 第1项之方法,其中上述之乾式蚀刻系选自溅击蚀 刻(sputtering etch)、电浆蚀刻(plasma etch)、反应性离 子蚀刻法(Reactive Ion Etch,RIE)、磁场强化活性离子 蚀刻法(Magnetic-Enhanced Reactive Ion Etch,MERIE)其中之一 种。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之施 加偏压値系介于0.1V~ 500V。4.一种平坦化氧化铟锡( Indium Tin Oxide,ITO)薄膜之方法,其中该氧化铟锡薄膜 系制作于一基板上表面,该方法至少包含下列步骤 : 施加一偏压于该氧化铟锡薄膜并同时对该氧化铟 锡薄膜进行乾式蚀刻,用以平坦化(planarization)该氧 化铟锡薄膜表面;以及 图案化该氧化铟锡薄膜,用以做为阳极电极; 其中,该氧化铟锡薄膜的粗糙尖端(spike)因尖端放 电效应,产生较大的电场,而得到较高的蚀刻率,可 有效平坦化该氧化铟锡薄膜表面。5.如申请专利 范围第4项之方法,其中上述之乾式蚀刻系选自溅 击蚀刻(sputtering etch)、电浆蚀刻(plasma etch)、反应 性离子蚀刻法(Reactive Ion Etch,RIE)、磁场强化活性 离子蚀刻法(Magnetic-Enhanced Reactive Ion Etch,MERIE)其中 之一种。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述 之施加偏压値系介于0.1V ~500V。7.一种制作具有平 坦化氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜之有机发光二 极体元件的方法,该方法至少包含下列步骤: 形成一氧化铟锡(ITO)薄膜于一基板之上表面; 施加一偏压于该氧化铟锡薄膜,并同时对该氧化铟 锡薄膜进行乾式蚀刻,用以平坦化(planarization)该氧 化铟锡薄膜表面; 图案化该氧化铟锡薄膜,做为阳极电极; 形成一有机发光层于该氧化铟锡薄膜之上表面;以 及 形成一金属层于该有机发光层之上表面,做为阴极 电极; 其中,该氧化铟锡薄膜的粗糙尖端(spike)因尖端放 电效应,产生较大的电场,而得到较高的蚀刻率,可 有效平坦化该氧化铟锡薄膜表面。8.如申请专利 范围第7项之方法,其中上述之乾式蚀刻系选自溅 击蚀刻(sputtering etch)、电浆蚀刻(plasma etch)、反应 性离子蚀刻法(Reactive Ion Etch,RIE)、磁场强化活性 离子蚀刻法(Magnetic-Enhanced Reactive Ion Etch,MERIE)其中 之一种。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述 之施加偏压値系介于0.1V ~500V。图式简单说明: 图1为有机发光二极体元件的基本结构图; 图2为蚀刻反应室(chamber)的内部示意图; 图3为传统上以乾式蚀刻进行平坦化氧化铟锡薄膜 之示意图; 图4为透光基板截面图,显示根据本发明于基板上 形成氧化铟锡薄膜之步骤; 图5为根据本发明进行平坦化氧化铟锡薄膜之示意 图; 图6为透光基板截面图,显示根据本发明形成光阻 层于氧化铟锡薄膜上之步骤;以及 图7为透光基板截面图,显示根据本发明依序形成 有机发光层和金属层于氧化铟锡图案上之步骤。 |
