| 主权项 |
1.一种半导体机台的调控方法,系包含下列步骤: 设定一货次(t)之所属产品种类(j); 估算该货次(t)对一半导体机台之一操作参数値(Et) ; 藉由该估算之操作参数値(Et)与前一批货次实际操 作参数値(Et-1),计算一机台指标値(Qt),其中,该前一 批货次(t-1)系指在该半导体机台制造之相同产品 种类(j); 根据该机台指标値(Qt)进行调控显着性判别;以及 若该调控显着性超过一既定范围时,则进行该半导 体机台调控。2.根据申请专利范围第1项所述之半 导体机台的调控方法,其中该半导体机台为微影曝 光机台,该操作参数为曝光能量。3.根据申请专利 范围第1项所述之半导体机台的调控方法,其中该 机台指标値(Qt)系由下式求得: Qnew=Qold+f(Et,Et-1) Qnew为本次之机台指标値; Qold为前批货次(t-1)之机台指标値; 其中,当该批货次为第一次(t=1),则Qold=0。4.根据申 请专利范围第3项所述之半导体机台的调控方法, 其中该f(Et,Et-1)为log(Et/Et-1)。5.根据申请专利范围 第1项所述之半导体机台的调控方法,其中根据该 机台指标値(Qt)进行调控显着性判别之步骤,更包 含下列步骤: 计算该半导体机台在该货次(t)至前一次该半导体 机台进行调控间所处理之产品种类(Nt); 产生一调整器値(qt)=exp(Qt/Nt);以及 以该调整器値(qt)与该产品种类(Nt)根据一既定规 则进行该显着性判断。6.根据申请专利范围第5项 所述之半导体机台的调控方法,其中该既定规则为 : (1)当5>Nt=3,若∣qt-1∣>0.03,则进行该半导体机台之 调控; (2)当10>Nt=5,若∣qt-1∣>0.02,则进行该半导体机台之 调控;以及 (3)当Nt=10,若∣qt-1∣>0.01,则进行该半导体机台之调 控。7.根据申请专利范围第6项所述之半导体机台 的调控方法,其中该半导体机台之调控系调控该半 导体机台之一机台偏移比()。8.根据申请专利范 围第7项所述之半导体机台的调控方法,其中该机 台偏移比()系为: new=oldqt 其中:new为本次机台偏移比; old为前次之机台偏移比; 其中,当该次调控为第一次,则old=0。9.一种半导 体微影机台的调控方法,系包含下列步骤: 设定一货次(t)之所属产品种类(j); 估算该货次(t)对一半导体曝光机台之一曝光能量( Et); 藉由该估算之曝光能量(Et)与前一批货次实际曝光 能量(Et-1),计算一机台指标値(Qt)=Q(t-1)+f(Et,Et-1),其 中,当该批货次为第一次(t=1),则Qold=0,且该前一批 货次(t-1)系指在该半导体机台制造之相同产品种 类(j); 根据该机台指标値(Qt)进行调控显着性判别;以及 若该调控显着性超过一既定范围时,则进行该半导 体曝光机台调控。10.根据申请专利范围第9项所述 之半导体微影机台的调控方法,其中该f(Et,Et-1)为 log(Et/Et-1)。11.根据申请专利范围第10项所述之半 导体微影机台的调控方法,其中根据该机台指标値 (Qt)进行调控显着性判别之步骤,更包含下列步骤: 计算该半导体微影机台在该货次(t)至前一次该半 导体微影机台进行调控间所处理之产品种类(Nt); 产生一调整器値(qt)=exp(Qt/Nt);以及 以该调整器値(qt)与该产品种类(Nt)根据一既定规 则进行该显着性判断。12.根据申请专利范围第11 项所述之半导体微影机台的调控方法,其中该既定 规则为: (1)当5>Nt=3,若∣qt-1∣>0.03,进行该半导体微影机台 之调控; (2)当10>Nt=5,若∣qt-1∣>0.02,进行该半导体微影机台 之调控;以及 (3)当Nt=10,若∣qt-1∣>0.01,进行该半导体微影机台之 调控。13.根据申请专利范围第12项所述之半导体 微影机台的调控方法,其中该半导体曝光机台之调 控系调控该半导体曝光机台之一机台偏移比() 。14.根据申请专利范围第13项所述之半导体微影 机台的调控方法,其中该机台偏移比()系为: new=oldqt 其中:new为本次机台偏移比; old为前次之机台偏移比; 其中,当该次调控为第一次,则old=0。图式简单说 明: 第1图所示为根据本发明之一实施例中,半导体微 影曝光机台的控制架构。 第2图所示为根据本发明之一实施例中,半导体微 影曝光机台的调控方法流程。 第3图所示为根据本发明之一实施例中,半导体微 影曝光机台的调控显着性判断方法流程。 |
