L型字元线间隙壁之结构及其制造方法

摘要

一种L型字元线(Word Line)间隙壁之结构及其制造方法，此L型字元线间隙壁系应用于制造分离式闸极(Split Gate)之快闪记忆体(Flash Memory)中，其特征在于利用L型字元线间隙壁与双层介电质间隙壁形成于快闪记忆体结构之两侧，不仅可以控制L型字元线间隙壁之通道长度(Channel Length)，而且在形成金属矽化层后，更提供闸极(Gate)与汲极(Drain)之间有良好的电性隔离，藉以制造尺寸更小且良率更高的快闪记忆体元件。

主权项

1.一种L型字元线间隙壁之制造方法,至少包括: 提供一基材,其中该基材上具有一预设结构在该基 材上; 共形地形成一复晶矽层以覆盖该基材与该预设结 构,其中该复晶矽层具有一横向部份与一垂直部份 ; 形成一第一介电质间隙壁于该复晶矽层之该横向 部份上且贴于该复晶矽层之该垂直部份上; 以该第一介电质间隙壁为一罩幕,进行一蚀刻步骤 使该复晶矽层转变成该L型字元线间隙壁,其中该L 型字元线间隙壁位于该预设结构的两侧,并暴露出 部份之该基材;以及 形成一第二介电质间隙壁于该基材上且贴于该第 一介电质间隙壁与该L型字元线间隙壁的两侧,并 暴露出部份之该L型字元线间隙壁。2.如申请专利 范围第1项所述之L型字元线间隙壁之制造方法,其 中该第一介电质间隙壁与该第二介电质间隙壁之 材质系选自于由氮化矽(Si3N4)、四乙基邻矽酸盐( Tetraethylorthosilicate;TEOS)以及高温氧化物(High Temperature Oxide;HTO)所组成之一族群。3.如申请专利 范围第1项所述之L型字元线间隙壁之制造方法,其 中该第二介电质间隙壁之一高度约低于该第一介 电质间隙壁之一高度。4.如申请专利范围第1项所 述之L型字元线间隙壁之制造方法,其中该复晶矽 层之一厚度系小于2000。5.如申请专利范围第1项 所述之L型字元线间隙壁之制造方法,其中在形成 该第二介电质间隙壁之步骤后,更包括形成一自行 对准金属矽化(Salicide)层于暴露出之该L型字元线 间隙壁之该部份上与该基材之该部份上。6.一种L 型字元线间隙壁之制造方法,至少包括: 提供一基材,在该基材上已具有复数个浅沟渠隔离 ; 依序形成一浮置闸极氧化层、一第一复晶矽层与 一第一氮化矽层以覆盖该基材与该些浅沟渠隔离 结构; 对该第一氮化矽层进行一第一定义步骤,以形成位 在该第一复晶矽层上之复数个开口,并暴露出部份 之该第一复晶矽层; 于该些开口中形成一第一氧化层; 进行一第二定义步骤以定义出一共同源极区域; 形成一氧化矽间隙壁于该共同源极区域之该第一 氧化层之一侧壁上; 形成一第二复晶矽层于该共同源极区域; 进行一氧化步骤使该第二复晶矽层之表面形成一 第二氧化层; 去除该第一氮化矽层,以及位于该第一氮化矽层下 方的部份之该第一复晶矽层与部份之该浮置闸极 氧化层,以形成一凸形结构; 形成一第三氧化层以覆盖该凸形结构; 形成一第三复晶矽层以共形地覆盖该第三氧化层; 形成一第一介电质间隙壁于该第三复晶矽层之一 横向部份上且贴于该第三复晶矽层之一垂直部份 上; 去除部份之该第三复晶矽层与部份之该第三氧化 层,使该第三复晶矽层形成该L型字元线间隙壁设 于该凸形结构的两侧,且暴露出部份之该基材; 形成一第二介电质间隙壁于该基材上且贴于该第 一介电质间隙壁与该L型字元线间隙壁之两侧,并 暴露出部份之该L型字元线间隙壁与另一部份之该 基材;以及 形成一自行对准金属矽化层于暴露出之该L型字元 线间隙壁之该部份上与该基材之该另一部份上。7 .如申请专利范围第6项所述之L型字元线间隙壁之 制造方法,其中该第一介电质间隙壁与该第二介电 质间隙壁之材质系选自于由氮化矽、四乙基邻矽 酸盐以及高温氧化物所组成之一族群。8.如申请 专利范围第6项所述之L型字元线间隙壁之制造方 法,其中该第二介电质间隙壁之一高度约低于该第 一介电质间隙壁之一高度。9.如申请专利范围第6 项所述之L型字元线间隙壁之制造方法,其中该第 三复晶矽层之一厚度系小于2000。10.一种L型字 元线间隙壁之结构,至少包括: 一基材,其中于该基材上至少设有一预设结构; 该L型字元线间隙壁位于该预设结构之两侧,其中 该L型字元线间隙壁之一垂直部份贴于该预设结构 之一侧壁上,且该L型字元线间隙壁之一横向部份 位于该基材上; 一第一介电质间隙壁位于该L型字元线间隙壁之该 横向部份上且贴于该L型字元线间隙壁之该垂直部 份上;以及 一第二介电质间隙壁位于该基材上且贴于该第一 介电质间隙壁与该L型字元线间隙壁之该两侧。11. 如申请专利范围第10项所述之L型字元线间隙壁之 结构,其中该预设结构为一凸型结构。12.如申请专 利范围第10项所述之L型字元线间隙壁之结构,其中 该L型字元线间隙壁之材质为复晶矽。13.如申请专 利范围第10项所述之L型字元线间隙壁之结构,其中 该第一介电质间隙壁与该第二介电质间隙壁之材 质系选自于由氮化矽、四乙基邻矽酸盐以及高温 氧化物所组成之一族群。14.如申请专利范围第10 项所述之L型字元线间隙壁之结构,其中该第二介 电质间隙壁之一高度约低于该第一介电质间隙壁 之一高度。15.如申请专利范围第10项所述之L型字 元线间隙壁之结构,其中该第一介电质间隙壁与该 第二介电质间隙壁更暴露出部份之该L型字元线间 隙壁与部份之该基材。16.如申请专利范围第15项 所述之L型字元线间隙壁之结构,其中更包括一自 行对准金属矽化层设于该L型字元线间隙壁之该部 份上与该基材之该部份上。图式简单说明: 第1a图至第1h图系绘示一般快闪记忆体中字元线间 隙壁之制造方法的流程上视图; 第2a图至第2h图系绘示一般对照第1a图至第1h图快 闪记忆体中字元线间隙壁之制造方法的流程剖面 图; 第3a图至第3i图系绘示依据本发明之一较佳实施例 之快闪记忆体中字元线间隙壁之制造方法的流程 上视图;以及 第4a图至第4i图系绘示依据本发明之一较佳实施例 对照第3a图至第3i图快闪记忆体中字元线间隙壁之 制造方法的流程剖面图。