发明名称 线型交错式排列感测器之结构
摘要 本发明主要在于提供一种线型交错式排列感测器( linear staggered sensor)之结构,其包括:第一感测器与第二感测器,其第一感测器横向偏置(offset)至第二感测器,且第一感测器与第二感测器包含复数个电荷耦合元件,其中每一电荷耦合元件包含感光区域与非感光区域,其第一感测器与第二感测器之电荷耦合元件为线型排列;以及第一感测器与第二感测器相邻接,其中相邻处为第一感测器与该第二感测器之非感光区域。
申请公布号 TW569618 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW091118496 申请日期 2002.08.16
申请人 力捷电脑股份有限公司 发明人 陈世煌
分类号 H04N3/14;H04N1/04 主分类号 H04N3/14
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区南京东路二段一一一号八楼之三;谢德铭 台北市中山区南京东路二段一一一号八楼之三
主权项 1.一线性交错式感测感光胞列结构,该线性交错式 感测感光胞列结构包含: 一第一线性感测感光胞列及一第二线性感测感光 胞列,该第二感测感光胞列横向偏置于该第一线性 感测感光胞列以及该第一线性感测感光胞列及该 第二线性感测感光胞列分别具有复数个感测元件, 其中每一该复数个感测元件具有一感光区域及一 非感光区域;及 一相邻处位于该第一线性感测感光胞列及该第二 线性感测感光胞列的该非感光区域之间。2.如申 请专利范围第1项之线性交错式感测感光胞列结构 ,其中上述复数个感测元件包含电荷耦合元件。3. 如申请专利范围第1项之线性交错式感测感光胞列 结构,其中上述复数个感测元件的形状系选自于由 正方形以及多边形所组成的族群之中选出。4.如 申请专利范围第1项之线性交错式感测感光胞列结 构,其中上述感光区域位于该非感光区域的右上方 。5.如申请专利范围第1项之线性交错式感测感光 胞列结构,其中上述感光区域位于该非感光区域的 左上方。6.如申请专利范围第1项之线性交错式感 测感光胞列结构,其中上述感光区域的面积小于非 感光区域的面积。7.如申请专利范围第1项之线性 交错式感测感光胞列结构,其中上述感光区域的该 面积至少为该非感光区域的该面积的一半。8.如 申请专利范围第1项之线性交错式感测感光胞列结 构,其中曝光步骤包含在一微小步进式步骤于一垂 直轴方向上。9.如申请专利范围第1项之线性交错 式感测感光胞列结构,其中上述微小步进式步骤包 含一连续移动曝光步骤。10.一线性感测感光胞列 结构,该线性感测感光胞列结构包含: 一第一线性感测感光胞列及一第二线性感测感光 胞列,该第一线性感测感光胞列及该第二线性感测 感光胞列分别具有复数个感测元件,其中每一该复 数个感测元件具有一感光区域及一非感光区域;及 一相邻处位于该第一线性感测感光胞列及该第二 线性感测感光胞列的该非感光区域之间。11.如申 请专利范围第10项之线性感测感光胞列结构,其中 上述复数个感测元件包含电荷耦合元件。12.如申 请专利范围第10项之线性感测感光胞列结构,其中 上述复数个感测元件的形状系选自于由正方形以 及多边形所组成的族群之中选出。13.如申请专利 范围第10项之线性感测感光胞列结构,其中曝光步 骤包含在一微小步进式步骤于一垂直轴方向上。 14.如申请专利范围第10项之线性感测感光胞列结 构,其中上述微小步进式步骤包含一连续移动曝光 步骤。图式简单说明: 第一A图为光感元件之电荷耦合元件结构图; 第一B图为传统方型电荷耦合元件晶格结构图; 第二A与二B图为传统交错式感测器阵列影像输出 结构之示意图; 第三图所示为传统一连续移动曝光方式之电荷耦 合元件感测器之示意图; 第四A图所示为根据本发明一线型交错式电荷耦合 元件感测器之示意图; 第四B图所示为根据本发明一连续移动曝光方式之 电荷耦合元件感测器之示意图; 第五A图系根据本发明所揭露之技术,系表示图案 利用微小步进式步骤曝光;及 第五B图系根据本发明所揭露之技术,系表示藉由 连续移动曝光步骤读取取样数据。
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