| 主权项 |
1.一种形成介电质层的方法,包含:提供一底材;形成一含矽层于该底材上;以及以一低温电浆增益化学气相沉积程序处理该含矽层,藉以形成一介电质层于该底材上。2.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,该含矽层系选自下列所选出:多晶矽层、掺杂多晶矽层、矽层、掺杂矽层、磊晶矽层与掺杂磊晶矽层。3.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,系以溅镀法形成该含矽层。4.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,系先形成一导体层于该底材上,再形成该含矽层于该导体层上。5.如申请专利范围第4项之形成介电质的方法,该导体层系由下列所选出:铝层、银层、铜层、钛层、氮化钛层、金层与过渡金属层。6.如申请专利范围第4项之形成介电质的方法,该导体层为一金属层。7.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,系先成一中介层于该底材上,然后才形成该含矽层于该中介层上。8.如申请专利范围第7项之形成介电质的方法,该中介层系由下列所选出:氮化钛层与氮化钽层。9.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,该介电质层系由下列所选出:氧化物层、氮化物层与氮氧化物层。10.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,该低温电浆增益化学气相沉积程序系先将该底材与该含矽层置于含一反应气体之一反应室中,然后再在一低温环境中使用一电浆让该反应气体与该含矽层反应而形成该介电质层于该底材上。11.如申请专利范围第10项之形成介电质的方法,该反应气体系由下列所选出:氧气、氮气与氧化氮。12.如申请专利范围第10项之形成介电质的方法,该低温电浆增益化学气相沉积程序之一反应环境为:温度在200℃至450℃之间、压力在2毫托耳至12毫托耳之间、该反应气体之流量在30sccm至150sccm之间、而电桨功率在1000瓦至6000瓦之间。13.如申请专利范围第10项之形成介电质的方法,该低温电浆增益化学气相沉积程序之一反应环境为:温度在200℃至750℃之间、压力在3毫托耳至10毫托耳之间、该反应气体之流量在30sccm至150sccm之间、而电桨功率在1000瓦至5000瓦之间。14.如申请专利范围第10项之形成介电质的方法,该反应室由下列所选出:化学气相沉积反应室、高密度电浆化学气相沉积反应室、和电浆增益化学气相沉积反应室。15.如申请专利范围第1项之形成介电质的方法,尚可以在进行该低温电浆增益化学气相沉积程序之前,执行一清洁程序去除位于该含矽层表面之一自然氧化层。16.一种形成电容器的方法,包含:提供一底材;形成一第一导体层于该底材上;执行一低温电浆增益化学气相沉积程序并使用一反应气体,藉以形成一介电质层于该第一导体层上;以及形成一第二导体层于该介电质层上。17.如申请专利范围第16项之形成电容器的方法,当该第一导体层为一含矽层时,系直接以该低温电浆增益化学气相沉积程序处理该第一导体层而形成该介电质层。18.如申请专利范围第16项之形成电容器的方法,当该第一导体层为一金属层时,系先形成一含矽层在该金属层上,然后再以该低温电浆增益化学气相沉积程序处理该含矽层以形成该介电质层。19.如申请专利范围第16项之形成电容器的方法,该低温电浆增益化学气相沉积程序之一反应环境为:温度在200℃至450℃之间、压力在2毫托耳至12毫托耳之间、该反应气体之流量在30sccm至150sccm之间、电桨功率在1000瓦至6000瓦之间,而该反应气体系由下列所选出:氧气、氮气与氧化氮。20.如申请专利范围第16项之形成电容器的方法,该低温电浆增益化学气相沉积程序之一反应环境为:温度在200℃至750℃之间、压力在3毫托耳至10毫托耳之间、反应气体之流量在30sccm至150sccm之间、电桨功率在1000瓦至5000瓦之间,而该反应气体系由下列所选出:氧气、氮气与氧化氮。图式简单说明:第一A图至第一E图显示本发明一较佳实施例的基本流程图与一些可能修正流程图:第二图、第三A图、第三B图、第四A图至第四B图显示本发明之相关实验数据;和第五图显示本发明另一较佳实施例的基本流程图。 |
