半导体薄膜及半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路、电光学装置及电子机器

摘要

本发明提供一种半导体薄膜以及半导体装置的制造方法。该方法是在二层硅膜之间设置具有贯通孔的绝缘膜，通过激光照射使硅膜部分熔化，从连接贯通孔的绝缘膜的下层侧的硅膜的至少一部分经过该贯通孔直到绝缘膜的上层侧的至少一部分，形成连续的基本单结晶硅膜。由于绝缘膜的贯通孔直径可以与成为在绝缘膜下层侧的硅膜上生成的多结晶的一个的结晶粒的大小相同或稍小，所以只要比用以往的方法形成的孔的直径大的贯通孔便可充分达到要求。这样就不必要使用昂贵的精密的曝光装置、蚀刻装置。而且能够容易地在如大型液晶显示器等那样的大型基片上形成多个高性能的半导体装置。

主权项

1.一种半导体薄膜的制造方法，具备：在二层硅膜之间设置具有贯通孔的绝缘膜的工序、和通过激光照射使所述硅膜部分熔化，连接所述贯通孔地从所述绝缘膜下层侧的所述硅膜的至少一部分经过该贯通孔到达所述绝缘膜上层侧的所述硅膜的至少一部分连续形成基本单结晶硅膜的工序。