| 发明名称 | 半导体晶圆刷洗后的干燥方法 | ||
| 摘要 | 一半导体晶圆刷洗后的干燥方法，首先，提供一刷洗后的半导体晶圆。然后导入有机溶剂蒸气(例如异丙醇)与载气(例如氮气)的混合流体于上述半导体晶圆的上表面与下表面。然后水平或是垂直地使上述混合流体与上述半导体晶圆的上表面典下表面接触，以干燥上述半导体晶圆。具有能够增加晶圆的清洁程度，消除晶圆破碎的可能性，进而提高干燥效率，且增加半导体组件的产量。 | ||
| 申请公布号 | CN1464532A | 申请公布日期 | 2003.12.31 |
| 申请号 | CN02122361.0 | 申请日期 | 2002.06.14 |
| 申请人 | 加赛而企业有限公司 | 发明人 | 陈国庆 |
| 分类号 | H01L21/302;F26B5/00;B08B3/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1、一种半导体晶圆刷洗后的干燥方法，其特征是：它包括下列步骤：(1)提供一刷洗后的半导体晶圆；(2)导入有机溶剂蒸气与载气的混合流体于该半导体晶圆的上表面与下表面；(3)水平地使该混合流体与该半导体晶圆的上表面与下表面接触，以干燥该半导体晶圆。 | ||
| 地址 | 英属曼岛道格拉斯市 | ||