发明名称 | 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管 | ||
摘要 | 一种砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管,具有多重收集区结构,器件结构包括:一半绝缘砷化镓衬底;一N<SUP>+</SUP>掺杂的砷化镓子收集区,该N<SUP>+</SUP>掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上;一复合收集区,该复合收集区生长在N<SUP>+</SUP>掺杂的砷化镓子收集区上;一很重掺杂的P型砷化镓基区,该很重掺杂的P型砷化镓基区生长在复合收集区上;在基区上形成有一N型铟镓磷发射区,最上面是为制作欧姆接触用的帽层,在帽层上形成发射极,在基区上、N型铟镓磷发射区的两侧形成有基极。 | ||
申请公布号 | CN1464564A | 申请公布日期 | 2003.12.31 |
申请号 | CN02124452.9 | 申请日期 | 2002.06.26 |
申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 石瑞英;刘训春 |
分类号 | H01L29/737 | 主分类号 | H01L29/737 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1、一种砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管,具有多重收集区结构,其特征在于,器件结构包括:一半绝缘砷化镓衬底;一N+掺杂的砷化镓子收集区,该N+掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上;一复合收集区,该复合收集区生长在N+掺杂的砷化镓子收集区上;一很重掺杂的P型砷化镓基区,该很重掺杂的P型砷化镓基区生长在复合收集区上;在基区上形成有一N型铟镓磷发射区,最上面是为制作欧姆接触用的帽层,在帽层上形成发射极,在基区上、N型铟镓磷发射区的两侧形成有基极。 | ||
地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子 |