发明名称 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
摘要 一种砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管,具有多重收集区结构,器件结构包括:一半绝缘砷化镓衬底;一N<SUP>+</SUP>掺杂的砷化镓子收集区,该N<SUP>+</SUP>掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上;一复合收集区,该复合收集区生长在N<SUP>+</SUP>掺杂的砷化镓子收集区上;一很重掺杂的P型砷化镓基区,该很重掺杂的P型砷化镓基区生长在复合收集区上;在基区上形成有一N型铟镓磷发射区,最上面是为制作欧姆接触用的帽层,在帽层上形成发射极,在基区上、N型铟镓磷发射区的两侧形成有基极。
申请公布号 CN1464564A 申请公布日期 2003.12.31
申请号 CN02124452.9 申请日期 2002.06.26
申请人 中国科学院微电子中心 发明人 石瑞英;刘训春
分类号 H01L29/737 主分类号 H01L29/737
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1、一种砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管,具有多重收集区结构,其特征在于,器件结构包括:一半绝缘砷化镓衬底;一N+掺杂的砷化镓子收集区,该N+掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上;一复合收集区,该复合收集区生长在N+掺杂的砷化镓子收集区上;一很重掺杂的P型砷化镓基区,该很重掺杂的P型砷化镓基区生长在复合收集区上;在基区上形成有一N型铟镓磷发射区,最上面是为制作欧姆接触用的帽层,在帽层上形成发射极,在基区上、N型铟镓磷发射区的两侧形成有基极。
地址 100029北京市德胜门外祁家豁子