快闪存储器的记忆单元的制造方法

摘要

一种快闪存储器的记忆单元的制造方法，其步骤为：主要于半导体基底表面形成主动区，于主动区内依序形成第一绝缘层、第一导电层与遮蔽层，移除部分的遮蔽层后形成第一开口，实施离子植入制程，实施氧化制程以形成浮动栅极绝缘层，移除遮蔽层后，去除部分的第一导电层及第一绝缘层形成浮动栅极，于形成第二绝缘层与第二导电层后，去除部分的第二导电层与第二绝缘层以形成控制栅极，同时形成第二开口与第三开口，接着于第二开口底部的半导体基底表层形成源极区，再于第二及第三开口侧壁形成绝缘侧壁层，然后于第三开口底部的半导体基底表层形成漏极区，本发明制程可改善复晶硅尖端的尖锐度，提高浮动栅极的尖端放电速度。

主权项

1、一种快闪存储器的记忆单元的制造方法，其特征在于包括下列步骤：提供半导体基底；于该半导体基底表面形成主动区；于主动区内的该基底表面形成第一绝缘层；于该第一绝缘层表面形成第一导电层；于该第一导电层表面形成一遮蔽层；去除部分该遮蔽层形成第一开口，露出部分的该第一导电层表面；进行离子植入制程，将离子以特定的入射角度植入该第一开口底部且外露的该第一导电层表面；进行氧化制程，使位于该第一开口底部且被植入离子的该第一导电层表面氧化，以形成浮动栅极氧化层；实施一蚀刻制程，以去除该遮蔽层；实施另一蚀刻制程，以该浮动栅极氧化层为硬式罩幕，依序去除部分的该第一导电层与第一绝缘层，露出该基底表面，仅留下被该浮动栅极氧化层所覆盖的该第一导电层与第一绝缘层，其中残留的该第一导电层形成浮动栅极，残留的该第一绝缘层形成第一栅极绝缘层；形成第二绝缘层覆盖该基底与浮动栅极氧化层的表面以及浮动栅极与第一栅极绝缘层的侧壁；形成第二导电层覆盖该第二绝缘层表面；移除部分的该第二导电层与第二绝缘层以形成第二开口及第三开口，残留的该第二导电层形成控制栅极，残留的该第二绝缘层形成第二栅极绝缘层；于该第二开口内的该半导体基底表层形成源极区；于该第二开口与第三开口的侧壁形成绝缘侧壁层；以及于该第三开口内的该半导体基底表层形成漏极区。