HIGH-PRESSURE SENSOR COMPRISING SILICON MEMBRANE AND SOLDER LAYER

摘要

Bei einer Vorrichtung zur (Hhoch) Druckmessung ist der Druckaufnehmer (10) als Halbleiter-Druckaufnehmer ausgebildet und direkt auf ein mit einem ersten Druckkanalabschnitt versehenes Trägerteil (5) mittels einer Lotschicht aufgelötet. Das Trägerteil (5) ist eine FeNi oder FeNiCo-Legierung. Die Lotschicht ist AuSn20. Dies für angepasste kleine thermische Ausdehnungskoeffizienten. Der Druckaufnehmer (10) kann aus zwei Siliziumstrukturen bestehen, die eutektisch AuSi verbunden sind. Ein umlaufender Kragen (42) dient einer sicheren Schweissnaht. Ein Deckelteil (61) dient zur Modulbildung.