| 发明名称 | 氮化物半导体激光器 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。 | ||
| 申请公布号 | CN1465123A | 申请公布日期 | 2003.12.31 |
| 申请号 | CN02802449.4 | 申请日期 | 2002.06.04 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 冨谷茂隆;日野智公 |
| 分类号 | H01S5/343 | 主分类号 | H01S5/343 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邸万奎;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体激光器，其特征在于，在活性层和覆盖层之间具有压力集中抑制层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||