利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种利用碳纳米管制备的非挥发性随机存储器及制备方法，包括上下两层碳纳米管构成的阵列，每一层碳纳米管是一组平行的单壁碳纳米管，上下两层的碳纳米管之间相互垂直但不发生接触，两层碳纳米管的每个交叉结点构成存储器的一个存储单元。本发明公开了在制备该存储器的过程中各重要参数的取值原则和器件具有最优存储特性时的工作条件，解决了传统存储器在高密度集成中所遇到散热、功耗和稳定性等方面的问题。

主权项

1.一种利用碳纳米管制备的非挥发性随机存储器，包括衬底，和在衬底上有上下两层的碳纳米管构成的阵列和绝缘支座；其中每一层碳纳米管是平行设置的，下层碳纳米管直接放置在衬底上，上层碳纳米管放置在绝缘支座上，上下两层的碳纳米管之间相互垂直并且彼此分离，两层碳纳米管的每个交叉结点构成存储器的一个独立存储单元，在上下两层中的每根碳纳米管的两端沉积有金属电极，其特征在于：所述的绝缘支座设置在每两根相邻的下层碳纳米管之间，并与下层碳纳米管平行取向，在每条绝缘支座上放置n根或n束碳纳米管；上下两层的碳纳米管之间的初始距离r0由上层碳纳米管的长度L，碳纳米管的弹性模量和转动惯量的乘积B以及支座的弹性模量k来决定取值范围。