MONOLITHICALLY INTEGRATED PLANAR SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH TEMPERATURE COMPENSATION

摘要

A találmány tárgya monolitikusan integrált planár félvezetőelrendezés. A félvezető elrendezésben, illetőleg félvezető elemben egyfélvezető egykristályba ?-diffúziós zóna (3) van bevive és azzal pn-átmenetet képez. A kialakuló tértöltési zóna környezetében van egyfedőelektród (6) és egy erősen adalékolt n+-diffúziós zóna (4). Afedőelektród (6) egy feszültségosztóval (Z1, R1, Z2, R2, TR) vanösszekötve, és ezáltal a fedőelektród (6) potenciálja a hőmérsékletrekompenzáltan van beállítva. ŕ