SILICON GERMANIUM BIPOLAR TRANSISTOR

摘要

A találmány tárgya SiGe bipoláris tranzisztor, amely lényegileg nemtartalmaz diszlokációs hibákat az emitter (56) és a kollektor terület(52) között, valamint eljárás a tranzisztor kialakítására. A találmányszerinti SiGe bipoláris tranzisztor magában foglal első típusúvezetőképességgel rendelkező kollektor területet (52); a kollektorterület (52) részletén kialakított SiGe bázis területet (54) valaminta bázis terület (54) részlete felett kialakított első típusúvezetőképességgel rendelkező emitter területet (56) ahol a kollektorterület (52) és a bázis terület (54) szenet tartalmaznak folytonosan.A SiGe bázisterület (54) továbbá bórral szennyezett. Ó