发明名称 METHOD FOR PREPARING TUNGSTATE SINGLE CRYSTAL
摘要 A találmány tárgya eljárás volfrám egykristály előállítására.Jellegzetessége, hogy az a következő műveletekből áll: volfrámegykristály növekedése XIIWO4 vagy XI XIII(WO4)2 (amelyben XI egyvegyértékű fémet, XII két vegyértékű fémet és XIII három vegyértékűfémes elemet jelent) molekula képletű volfrámból és amelyetvolfrámtrioxid és két vegyértékű fémoxid vagy -karbonát,volfrámtrioxid és egy vegyértékű fémoxid vagy -karbonát és háromvegyértékű fémoxid, vagy ezen oxidok vagy karbonátok melegítésévelkapnak meg; és a növekvő volfrám egykristályt melegítik 600 °C-on 1550°C-ig atmoszferikus körülmények között, ahol az oxigén parciálisnyomása negatív értékre van beállítva a levegőhöz képest. Ó
申请公布号 HU0302668(A2) 申请公布日期 2003.12.29
申请号 HU20030002668 申请日期 2002.06.28
申请人 FURUKAWA CO., LTD. 发明人 KOBAYASHI, SEIJI;YAMAMOTO, KAZUTOMI
分类号 C30B29/32;C30B1/00;C30B9/00;C30B15/02;C30B33/00;C30B33/02 主分类号 C30B29/32
代理机构 代理人
主权项
地址