固态成像器件及其制造方法

摘要

将第二氧化膜105的膜厚设定为大于第一栅氧化膜103的膜厚，使得在相同电压施加在两个电极上时，各电极下面的沟道电势为±0.2V或更小。所述第二栅氧化膜105是利用CVD方法等形成的。

主权项

1.一种制造固态成像器件的方法，该方法包括下列步骤：在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的阱层，作为电荷转移部分；在整个表面上形成第一栅绝缘膜，并在随后形成第一多晶硅膜，然后将该第一多晶硅膜图形化，以形成第一电荷转移电极；整个地或部分地去除所述第一栅绝缘膜的暴露部分，其后在整个表面上形成第二栅绝缘膜；以及在所述第二栅绝缘膜上形成第二多晶硅膜，然后将该第二多晶硅膜图形化，以形成第二电荷转移电极；其中：所述第二栅绝缘膜的膜厚大于所述第一栅绝缘膜的膜厚；以这样的方式设定所述第一栅绝缘膜和所述第二栅绝缘膜的膜厚，使在所述第一电荷转移电极和所述第二电荷转移电极两个电极被施加相同电压时，所述第一电荷转移电极下面的沟道电势和所述第二电荷转移电极下面的沟道电势大致相同。