| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf eine Prozesskammer einer Anlage zur Temperaturbehandlung von Leiterplatten (1), mit einer auf einer Achse parallel zu den Leiterplatten gelagerter Gebläsewalze (30), die zwischen zwei Wänden (6, 7) der Prozesskammer angeordnet ist. Die Gebläsewalze (30) ist an ihren beiden Stirnseiten (13, 14) offen und die beiden Stirnseiten (13, 14) halten gegenüber den Wänden (6, 7) der Prozesskammer einen solchen Abstand, dass Gas in zwei Teilströmen ungehindert zwischen den Stirnseiten (13, 14) der Gebläsewalze (30) und den Wänden (6, 7) einströmt und aus der zylindrischen Oberfläche der Gebläsewalze über deren Länge und in der Ausdehnung der Prozesskammer als ein bandförmiger Gasstrom (28) abströmt, der im wesentlichen in diesem Querschnitt durch einen Kanal (29, 24) auf die Leiterplatten (1) geleitet wird.</p> |
