控制导通带绝缘栅电极的双极晶体管的方法及装置

摘要

控制IGBT导通的方法和装置。与先有技术不同，本发明不将栅极电压而是将栅极电流作为控制量。此电流依据加在栅极上的电压实际值与相应的额定值比较的结果对栅极进行加载。在导通过程中负载电流沿预先确定的轨迹进行调节。在负载一侧不需要对电流进行检测。代之的是利用这一事实：在IGBT中MOSFET导通期间其特性占主导地位。

主权项

1.一种控制导通绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于：用控制电流给栅电极加载，此电流是依据在栅电极所加电压的实际值与预先确定的额定值相比较所得的结果形成的；其中，把预先确定的电压上升函数作为额定值，所述电压上升函数包括三个部分，其中，在第一部分电压上升至绝缘栅双极晶体管的阈值电压，在第二部分电压由阈值电压上升至使绝缘栅双极晶体管得到满负载电流的栅极电压值，以及在第三部分电压再上升至栅极电压的最大值。