3维器件的制造方法

摘要

本发明的3维器件的制造方法，包括在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第1被转印层41有机同样在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第2被转印层42的工序、在与被转印层41的基板1相反侧通过粘接层5将基板(转印侧基板)21接合的工序、向分离层2照射照射光7利用磨蚀在分离层2的层内和/或界面发生剥离从而使被转印层41从基板1上脱离下来转印到基板21上的工序、在与被转印层42的基板1相反侧通过导电性粘接层22将被转印层41接合的工序有机和上述一样向分离层2照射照射光7使被转印层42从基板1上脱离下来从而转印到被转印层41上的工序。

主权项

1.一种3维器件的制造方法，将配置在2维方向的指定的区域内的薄膜器件层沿其厚度方向集层多层而制造3维器件，将上述各薄膜器件层中的至少1层利用转印法进行集层；在基体上将在2维方向扩展的指定的区域内构成电路的薄膜器件层沿其厚度方向集层多层而制造构成3维方向的电路的3维器件，将上述各薄膜器件层中的至少1层利用转印法进行集层；其特征在于：上述转印法在第1基板上通过分离层形成薄膜器件层后，将照射光照射到上述分离层上，在上述分离层的层内和/或界面处发生剥离，将上述第1基板上的薄膜器件层向第2基板侧转印。