发明名称 | 密闭式电池的制造方法及密闭式电池 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种在外壳和封口板使用铝合金类材料的情况下,伴随用激光束等能量束进行的焊接,能一边极力地抑制裂纹的发生,一边尽可能保持较高的生产率的密闭式电池的制造方法及密闭式电池。为了达到该目的,首先,将凸缘设在封口体上、将外壳的开口边缘变薄,然后,焊接凸缘和外壳的开口边缘制作密闭式电池。其次,通过使用具有平坦部的能量分布的激光焊接封口体和外壳,制造密闭式电池,达到上述目的。另外,通过一边使焊接部慢慢冷却,一边焊接封口板和外壳,制作密闭式电池,达到上述目的。 | ||
申请公布号 | CN1132258C | 申请公布日期 | 2003.12.24 |
申请号 | CN98812988.4 | 申请日期 | 1998.11.06 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 筱原亘;山本惠章;细川弘;山内康弘 |
分类号 | H01M2/02;B23K26/24 | 主分类号 | H01M2/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
主权项 | 1.一种密闭式电池的制造方法,其特征在于包括:准备开口边缘与筒体部位的厚度相等或者比它薄的由铝合金制成的外壳的外壳准备步骤;准备嵌入外壳开口边缘的沿着板体外周有凸缘的由铝合金制成的封口体的封口体准备步骤;将发电部件收容在外壳中后,在将凸缘紧密地嵌入外壳的开口边缘的状态下,将封口体安装在外壳上的安装步骤;以及照射能量束,焊接外壳的开口边缘与封口体的凸缘的边界部分的焊接步骤,上述封口体准备步骤,在设板体的厚度为T1μm、凸缘的高度为T2μm、凸缘的厚度为T3μm时,满足T2≥(T1/10+40)μm、50μm≤T3≤T1的关系式,准备封口体,其结果,在上述焊接步骤中,使铝合金焊接时的热应力降低进行焊接。 | ||
地址 | 日本大阪府 |