| 主权项 |
1.带有各垂直MOS晶体管的EEPROM装置，这些MOS晶体管各自包括一个电绝缘的第一栅电极(Ga1)，通过一个第二栅电极(Ga2)和一个沟道区(Ka)之间的电压降可以改变栅电极的电荷，其特征在于，-其中在一个衬底(1)中安排了一个具有一个侧壁的沟槽(G)，布置在衬底(1)中的沟道区(Ka)界靠在此侧壁上，-其中第一栅电极(Ga1)是布置在沟槽(G)的侧壁上的并且探出沟槽(G)，-其中一个第一绝缘结构(I1)是布置在沿沟槽(G)互相相邻各MOS晶体管的各自两个第一栅电极(Ga1)之间的，-其中第一绝缘结构(I1)是布置沟槽(G)侧壁上的并且探出沟槽(G)，使得各第一栅电极(Ga1)的各侧壁(F1)和各第一绝缘结构(I1)的一个第一侧壁交叉过渡，-其中第一栅电极(Ga1)的第一侧壁(F1)是朝向沟道区(Ka)的，-其中衬底(1)之外的第二栅电极(Ga2)界靠到电绝缘第一栅电极(Ga1)的第一侧壁(F1)上和界靠到电绝缘第一栅电极(Ga1)的与第一侧壁(F1)相对的第二侧壁(F2)的至少一个部分上，-其中第二栅电极(Ga2)是一个字线(W)的部分，此栅电极平行于沟槽(G)延伸并且界靠到第一绝缘结构(I1)的第一侧壁上和界靠到第一绝缘结构(I1)的与第一侧壁相对的一个第二侧壁的至少一个部分上。 |
