| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Spacerstruktur mit den Schritten: Ausbilden einer Gate-Isolationsschicht (2) mit einer Gate-Abscheidehemmschicht (2A), einer Gateschicht (3) und einer Abdeck-Abscheidehemmschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (1), und Strukturieren der Gateschicht (3) und der Abdeck-Abscheidehemmschicht (4) zum Ausbilden von Gatestapeln (G), wobei unter Verwendung der Abscheidehemmschichten (2A, 4) zum hochpräzisen Ausbilden einer Spacerstruktur eine Isolationsschicht (6) selektiv abgeschieden wird.</p> |
