半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

摘要

一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择生地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

主权项

1.一种制造半导体器件的工艺，包括下列步骤：在一衬底上形成含硅的半导体膜；用旋转涂敷法在所述半导体膜的第一部分上形成一层含选自由镍、铁、钴和铂组成的一组中的一种元素的液层；通过热处理使加有所述元素的所述半导体膜晶化，其中晶化从所述第一部分到还未形成液层的第二部分发生；腐蚀所述已晶化的半导体膜成所述第二部分中的至少一个半导体区域；以及在所述至少一个半导体区域上形成栅电极，在它们之间插有栅绝缘膜。