| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING A SPACER STRUCTURE |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Spacerstruktur mit den Schritten: Ausbilden einer Gate-Isolationsschicht (2) mit einer Gate-Abscheidehemmschicht (2A), einer Gateschicht (3) und einer Abdeck-Abscheidehemmschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (1), und Strukturieren der Gateschicht (3) und der Abdeck-Abscheidehemmschicht (4) zum Ausbilden von Gatestapeln (G), wobei unter Verwendung der Abscheidehemmschichten (2A, 4) zum hochpräzisen Ausbilden einer Spacerstruktur eine Isolationsschicht (6) selektiv abgeschieden wird.
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| 申请公布号 |
WO03107405(A1) |
申请公布日期 |
2003.12.24 |
| 申请号 |
WO2003DE01551 |
申请日期 |
2003.05.14 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;TEWS, HELMUT |
发明人 |
TEWS, HELMUT |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8247;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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