| 发明名称 | 用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶及使用该靶形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶，由硫族化物与硅氧化物的复合体构成，其特征在于，当设在相对于溅射面的法线方向的－30°～+30°范围内的面上存在的硅氧化物的法线方向的平均长度为A，相对于该法线成垂直方向的平均长度为B时，至少在腐蚀部位中，用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶具有0.3≤A/B≤0.95的组织。获得由硫族化物和硅氧化物的复合体构成的溅射靶，其能够抑制结核，增加成膜的均一性，并提高生产率，且能够有效形成相变化型光盘保护膜，以及获得使用该靶形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体。 | ||
| 申请公布号 | CN1463300A | 申请公布日期 | 2003.12.24 |
| 申请号 | CN02801944.X | 申请日期 | 2002.02.15 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 矢作政隆;高见英生 |
| 分类号 | C23C14/34;G11B7/24;G11B7/26 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉;丁业平 |
| 主权项 | 1.一种用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶，由硫族化物和硅氧化物的复合体构成，其特征在于，当设在相对于溅射面的法线方向的-30°～+30°范围内的面上存在的硅氧化物的法线方向的平均长度为A，相对于该法线成垂直方向的平均长度为B时，至少在腐蚀部位中，用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶具有0.3≤A/B≤0.95的组织。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||