一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法

摘要

高反压低负阻硅晶体管的制造方法，属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO₂上面生长厚度为1000的氮化硅Si₃N₄薄膜。在开管扩镓时，为了保证产品的高电压和大电流输出特性，本发明采用低浓度掺杂、结深推移和后表面高浓度掺杂，且在同一炉内连续完成，以形成P型Ga基区。本发明利用Si₃N₄薄膜掩蔽镓元素扩散的特性来阻止磷扩散再分布过程中近硅表面杂质Ga的外扩散，改善与提高了小注入情况下的放大性能，大幅度减小了Ga基区晶体管的负阻效应。

主权项

1.高反压低负阻硅晶体管的制造方法，包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，其特征是在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO2上面生长厚度为1000_的氮化硅Si3N4薄膜。