| 发明名称 | 通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法 | ||
| 摘要 | 掩蔽碳化硅衬底的表面，在衬底限定开口，通过该开口，以能够形成深p型注入的注入能量和剂量，向碳化硅衬底中注入p型掺杂剂，并且通过该开口，以能够相对于深p型注入形成浅n型注入的能量和剂量，向碳化硅衬底中注入n型掺杂剂，由此制造碳化硅功率器件。在低于1650℃但较好高于约1500℃的温度下，退火深p型注入和浅n型注入。退火时间较好在约5分钟至约30分钟。也可以将从室温到退火温度的升温时间控制在少于约100分钟但多于约30分钟。也可以通过在少于约2分钟的时间内将温度从退火温度降低到低约1500℃控制退火后的降温时间。通过控制升温时间、退火时间和/或温度和/或降温时间，可以制造高性能的碳化硅功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1132225C | 申请公布日期 | 2003.12.24 |
| 申请号 | CN99807101.3 | 申请日期 | 1999.06.07 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | A·V·苏沃罗夫;J·W·帕穆尔;R·辛格 |
| 分类号 | H01L21/04;H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤：掩蔽碳化硅衬底的表面(112)，在表面限定开口；以形成深p型注入(118a)的注入能量和剂量，通过所说开口向碳化硅衬底注入p型掺杂剂(116)；以相对于深p型注入形成浅n型注入(124a)的注入能量和剂量，通过所说开口向碳化硅衬底注入n型掺杂剂(122)；在低于1650℃的温度下退火深p型注入和浅n型注入。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||