| 发明名称 |
Method of forming trench isolation having polishing step and method of manufacturing semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
USRE38363(E1) |
申请公布日期 |
2003.12.23 |
| 申请号 |
US19980041275 |
申请日期 |
1998.03.12 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
GOCHO TETSUO;HAYAKAWA HIDEAKI |
| 分类号 |
H01L21/304;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/304 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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