| 主权项 |
1.一种半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光罩至少包括一缺陷图案,且该缺陷图案上至少包括一缺陷,而该半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法至少包括:提供一无缺陷图案,其中该无缺陷图案与该缺陷图案相同但不具该缺陷;利用一投影机台进行该无缺陷图案与该缺陷图案之一影像对准步骤;形成一光阻层覆盖在该缺陷图案上;利用该投影机台将该无缺陷图案之一影像转移至该缺陷图案之该光阻层上;进行一显影步骤,藉以将该无缺陷图案转移至该光阻层中,其中该光阻层定义出该缺陷范围;以及以该光阻层为一罩幕,修补该缺陷。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该无缺陷图案位于该光罩上。3.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该无缺陷图案位于另一光罩上。4.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光阻层之材料为正型光阻。5.如申请专利范围第4项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该缺陷为一不透光缺陷。6.如申请专利范围第5项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中修补该缺陷之步骤系利用一蚀刻方式并以该光阻层为一蚀刻罩幕,去除该不透光缺陷。7.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光阻层之材料为负型光阻。8.如申请专利范围第7项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该缺陷为一透光缺陷。9.如申请专利范围第8项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中修补该缺陷之步骤系利用一沉积方式,而将一不透光材料填入该透光缺陷,并完全覆盖住该透光缺陷。10.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该投影机台至少包括一光源、一反射系统、以及一光检测器。11.如申请专利范围第10项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台进行该无缺陷图案与该缺陷图案之该影像对准步骤时,更至少包括:利用该光源对该反射系统发射一光线;利用该反射系统使该光线以一方向扫描过该光罩上之该无缺陷图案并反射而以该方向扫描过该光罩上之该缺陷图案后进入该光检测器中;以及利用该光检测器检测所接收之该光线,以使该无缺陷图案的影像与该缺陷图案呈对准状态。12.如申请专利范围第10项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台将该无缺陷图案之该影像转移至该缺陷图案之该光阻层上之步骤,更至少包括:利用该光源对该反射系统发射另一光线;以及利用该反射系统使该另一光线以另一方向通过该光罩上之该无缺陷图案并反射而以该另一方向通过该缺陷图案上之该光阻层上,进而将该无缺陷图案之该影像转移至该光阻层上。13.一种半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光罩上至少包括一缺陷图案,且该缺陷图案上至少包括一不透光缺陷,而该半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法至少包括:提供一无缺陷图案,其中该无缺陷图案与该缺陷图案相同但不具该不透光缺陷;利用一投影机台进行该无缺陷图案与该缺陷图案之一影像对准步骤;利用该投影机台曝光形成一光阻层位于部分之该缺陷图案上,其中该光阻层具有该无缺陷图案,且该光阻层定义出该不透光缺陷之范围;以及修补该缺陷图案。14.如申请专利范围第13项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该无缺陷图案位于该光罩上。15.如申请专利范围第13项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该无缺陷图案位于另一光罩上。16.如申请专利范围第13项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光阻层之材料为正型光阻。17.如申请专利范围第13项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中进行该影像对准步骤前,更至少包括纪录该光罩上之该缺陷图案之该不透光缺陷的一座标以及纪录该无缺陷图案之一座标。18.如申请专利范围第13项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该投影机台至少包括一光源、一反射系统、以及一光检测器。19.如申请专利范围第18项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台进行该无缺陷图案与该缺陷图案之该影像对准步骤时,更至少包括:利用该光源对该反射系统发射一光线;利用该反射系统使该光线以一方向扫描过该光罩上之该无缺陷图案并反射而以该方向扫描过该光罩上之该缺陷图案后进入该光检测器中;以及利用该光检测器检测所接收之该光线,以使该无缺陷图案的影像与该缺陷图案呈对准状态。20.如申请专利范围第18项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台形成该光阻层之步骤,更至少包括:形成一光阻薄膜覆盖在该缺陷图案上;利用该投影机台将该无缺陷图案之一影像转移至该缺陷图案之该光阻薄膜上;以及进行一显影步骤,藉以将该无缺陷图案转移至该光阻层中。21.如申请专利范围第20项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台将该无缺陷图案之该影像转移至该缺陷图案之该光阻薄膜上之步骤,更至少包括:利用该光源对该反射系统发射另一光线;以及利用该反射系统使该另一光线以另一方向通过该光罩上之该无缺陷图案并反射而以该另一方向通过该缺陷图案上之该光阻薄膜上,进而将该无缺陷图案之该影像转移至该光阻薄膜上。22.如申请专利范围第13项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中去除该不透光缺陷之步骤系利用一蚀刻方式。23.一种半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光罩上至少包括一缺陷图案,且该缺陷图案上至少包括一透光缺陷,而该半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法至少包括:提供一无缺陷图案,其中该无缺陷图案与该缺陷图案相同但不具该透光缺陷;利用一投影机台进行该无缺陷图案与该缺陷图案之一影像对准步骤;形成一光阻层覆盖在该缺陷图案上;利用该投影机台将该无缺陷图案之一影像转移至该缺陷图案之该光阻层上;进行一显影步骤,藉以将该无缺陷图案转移至该光阻层中,而定义出该缺陷图案上之该透光缺陷的范围;以及填补该透光缺陷,藉以使一不透光材料完全覆盖住该透光缺陷。24.如申请专利范围第23项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该无缺陷图案位于该光罩上。25.如申请专利范围第23项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该无缺陷图案位于另一光罩上。26.如申请专利范围第23项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该光阻层之材料为负型光阻。27.如申请专利范围第23项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中进行该影像对准步骤前,更至少包括纪录该光罩上之该缺陷图案之该透光缺陷的一座标以及纪录该无缺陷图案之一座标。28.如申请专利范围第23项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中该投影机台至少包括一光源、一反射系统、以及一光检测器。29.如申请专利范围第28项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台进行该无缺陷图案与该缺陷图案之该影像对准步骤时,更至少包括:利用该光源对该反射系统发射一光线;利用该反射系统使该光线以一方向扫描过该光罩上之该无缺陷图案并反射而以该方向扫描过该光罩上之该缺陷图案后进入该光检测器中;以及利用该光检测器检测所接收之该光线,以使该无缺陷图案之影像与该缺陷图案呈对准状态。30.如申请专利范围第28项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中利用该投影机台将该无缺陷图案之该影像转移至该缺陷图案之该光阻层上之步骤,更至少包括:利用该光源对该反射系统发射另一光线;以及利用该反射系统使该另一光线以另一方向通过该光罩上之该无缺陷图案并反射而以该另一方向通过该缺陷图案上之该光阻层上,进而将该无缺陷图案之该影像转移至该光阻层上。31.如申请专利范围第23项所述之半导体制程中利用相同图案来修补光罩之方法,其中填补该透光缺陷之步骤系利用一沉积方式。图式简单说明:第1图系绘示本发明之一较佳实施例之投影机台的示意图;第2a图系绘示本发明之第一较佳实施例之无缺陷图案的上视图;第2b图系绘示沿第2a图之无缺陷图案之Ⅰ-Ⅰ剖面线所得到之剖面图;第3a图系绘示本发明之第一较佳实施例之缺陷图案的上视图;第3b图系绘示沿第3a图之缺陷图案之Ⅱ-Ⅱ剖面线所得到之剖面图;第4图至第6图系绘示本发明之第一较佳实施例之缺陷图案的修补制程剖面图;第7a图系绘示本发明之第二较佳实施例之无缺陷图案的上视图;第7b图系绘示沿第7a图之无缺陷图案之Ⅲ-Ⅲ剖面线所得到之剖面图;第8a图系绘示本发明之第二较佳实施例之缺陷图案的上视图;第8b图系绘示沿第8a图之缺陷图案之Ⅳ-Ⅳ剖面线所得到之剖面图;以及第9图至第11图系绘示本发明之第二较佳实施例之缺陷图案的修补制程剖面图。 |
