发明名称 电子元件
摘要 一种电子元件,其包括一多晶片外壳(10),一储藏于该多晶片外壳(10)以提供一预定功能性的第一晶片,以及一储藏于该多晶片外壳(10)的第二晶片(14),其在操作过程中连接储藏于该多晶片外壳(10)中的该第一晶片(12)及外端点(28,30)。该第二晶片(14)在该多晶片外壳(10)的外端点(28,30)提供由该第一晶片(12)所提供的预定功能性一修改,以致在该等外端点上只有该修改过的功能性是可用的。该第一晶片(12)可以为一高容积晶片,而修改过的功能性可以为特定元件之一,该第一晶片(12)之大量生产不会被认为是复杂且冗长的产品开发。
申请公布号 TW567588 申请公布日期 2003.12.21
申请号 TW091121507 申请日期 2002.09.19
申请人 亿恒科技公司 发明人 彼得 波奇姆勒
分类号 H01L21/98 主分类号 H01L21/98
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种电子元件,包括:一多晶片外壳(10);一储藏于该多晶片外壳(10)以提供一预定功能性的第一晶片;以及一储藏于该多晶片外壳(10)以操作连接该第一晶片(12)与该多晶片外壳(10)的外端点(28,30)的第二晶片(14),其中该第二晶片(14)提供由外端点(28,30)上的该第一晶片(12)所提供的该预定功能性的一修改,因此在外端点上仅可取得该修改过的功能性。2.如申请专利范围第1项的电子元件,其中该第一晶片(12)为一高容积晶片,其受限于一复杂且冗长的产品开发及大量生产。3.如申请专利范围第1项的电子元件,其中该第一晶片(12)为一记忆体元件。4.如申请专利范围第1项的电子元件,其中该第二晶片经由一第一介面(32)耦合到该第一晶片(12)的端点,而且经由一第二介面(36)耦合到该多晶片外壳(10)至少部分外端点(28,30)。5.如申请专利范围第4项的电子元件,其中该预定功能性为一第一记忆体,随着该第二晶片(14)经由该第一介面(32)与该第一晶片(12)通信,而其中该修改过的功能性为一第二频率,随着该第二晶片(14)经由该第二介面(36)与一外部电路(40)通信。6.如申请专利范围第4项的电子元件,其中该预定功能性相应于同步DRAM记忆体之一,而其中该修改过的功能性相应于EDO记忆体之一。7.如申请专利范围第1项的电子元件,其中该第二晶片(14)系根据一不同于该第一晶片(12)的生产技术。图式简单说明:图1为一发明的电子元件的实施例的概要等量图;以及图2本发明的范例的概要图。
地址 德国