| 主权项 |
1.一种陶瓷电容元件,包括陶瓷介质材料基体及电容电极者,其中,前述电容电极系附着于前述陶瓷介质材料基体之外侧,包括金属、玻璃、及Bi2O3,且不含任何Pb及Pb化合物,而前述金属包括Cu及Ag中之至少一种。2.如申请专利范围第1项之陶瓷电容元件,其中,前述陶瓷介质材料基体包括BaTiO3系材料。3.如申请专利范围第1或2项之陶瓷电容元件,其中,前述电容电极里,相对于前述金属之全量,前述Bi2O3之含有量为0.1wt%~10.0wt%之范围内。4.如申请专利范围第3项之陶瓷电容元件,其中,前述电容电极里,相对于前述金属之全量,前述玻璃之含有量为0.1wt%~5.0wt%之范围内。5.如申请专利范围第1或2项之陶瓷电容元件,其中,前述玻璃包括硼砂玻璃及硼矽酸亚铅玻璃中之至少一种。6.如申请专利范围第1或2项之陶瓷电容元件,其中,前述玻璃包括SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃及ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3系玻璃中之至少一种。7.一种导电性组合物,用以形成电容电极于陶瓷介质材料基体上者,包括金属、玻璃、及Bi2O3,且不含任何Pb及Pb化合物,而前述金属包括Cu及Ag中之至少一种。8.如申请专利范围第7项之导电性组合物,其中,相对于前述金属之全量,前述Bi2O3之含有量为0.1wt% ~ 10.0wt%之范围。9.如申请专利范围第8项之导电性组合物,其中,相对于前述金属之全量,前述玻璃之含有量为0.1wt%~ 5.0 wt%之范围。10.如申请专利范围第7.8或9项之导电性组合物,其中,前述玻璃包括硼砂玻璃及硼矽酸亚铅玻璃中之至少一种。11.如申请专利范围第7.8或9项之导电性组合物,其中,前述玻璃包括SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃及ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3系玻璃中之至少一种。12.一种导电糊状物,用以形成电容电极于陶瓷介质材料基体上者,包括导电性组合物、黏结剂、及溶剂,且前述导电性组合物系如申请专利范围第7至9项中之任一项所述导电性组合物,其中,由前述导电性组合物、黏结剂、及溶剂所互相混合者。13.一种导电糊状物,用以形成电容电极于陶瓷介质材料基体上者,包括导电性组合物、黏结剂、及溶剂,且前述导电性组合物系如申请专利范围第10项所述导电性组合物,其中,由前述导电性组合物、黏结剂、及溶剂所互相混合者。14.一种导电糊状物,用以形成电容电极于陶瓷介质材料基体上者,包括导电性组合物、黏结剂、及溶剂,且前述导电性组合物系如申请专利范围第11项所述导电性组合物,其中,由前述导电性组合物、黏结剂、及溶剂所互相混合者。图式简单说明:第1图系显示本发明陶瓷电容元件之一个实施型态的平面图。第2图系沿着第1图II-II线之放大截面图。第3图显示Bi2O3之含有量与电容之关系。第4图显示Bi2O3之含有量与介质损耗之关系。第5图显示Bi2O3之含有量与接着强度之关系。第6图显示玻璃熔块之含有量与电容之关系。第7图显示玻璃熔块之含有量与介质损耗之关系。第8图显示玻璃熔块之含有量与按着强度之关系。第9图系平面图,显示第1图及第2图所图示之陶瓷电容元件之焊接制程。第10图系沿着第9图X-X线之放大截面图。 |
