| 主权项 |
1.一种光电装置,其特征系具备具有抛光处理之配向膜的第1基板,和与前述第1基板对向配置,具有抛光处理之配向膜的第2基板,和介于前述第1基板和前述第2基板问的光学物质,和形成于前述第1基板和前述第2基板之至少一方之基板之配向膜表面,对于前述抛光处理方向,呈向下滑落之阶差部,和形成于对向于前述第1基板和前述第2基板之至少一方之基板之前述滑落之阶差部的范围的遮光部者。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述阶差部系以形成于与前述抛光处理方向交叉之方向的隆起部所构成。3.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,于前述第1基板和第2基板之一方,具有复数之画素电极,前述隆起部系形成于对应以相互不同极性所驱动之邻接的画素电极间的范围者。4.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,对于前述隆起部之前述抛光处理方向而言,呈上滑之上滑部系与前述遮光膜不对向者。5.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述阶差部系以形成于与前述抛光处理方向交叉之方向的凹部所构成。6.如申请专利范围第5项之光电装置,其中,前述凹部系以形成于前述第1基板和前述第2基板之一方的沟部所形成,于前述沟部之范围配设配线。7.如申请专利范围第6项之光电装置,其中,对于前述凹部之前述抛光处理方向而言,呈上滑之上滑部系与前述遮光膜不对向者。8.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,于前述第1基板和第2基板之一方,具有复数之画素电极,对应于相互以同极性所驱动之邻接的画素电极间的范围系进行平坦化处理。9.如申请专利范围第8项之光电装置,其中,前述平坦化处理系以形成于基板之沟部加以形成,于前述沟部之范围配设配线者。10.如申请专利范围第8项之光电装置,其中,前述相互以同极性所驱动之邻接的画素电极间之距离系较前述光电物质之层厚为大者。11.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述抛光处理方向系对于前述阶差部之滑落部为正交之方向者。12.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述抛光处理方向系对于前述阶差部之滑落部呈倾斜正交之方向者。13.一种光电装置,其特征系具备具有抛光处理之配向膜的第1基板,和与前述第1基板对向配置,具有抛光处理之配向膜的第2基板,和介于前述第1基板和前述第2基板间的液晶,和形成于前述第1基板和前述第2基板之至少一方之基板之配向膜表面,形成反向倾斜角液晶之范围部,和形成于对向于前述第1基板和前述第2基板之至少一方之基板之前述呈反向倾斜角液晶之范围部的范围的遮光部者。14.一种光电装置,其特征系具备具有复数之画素电极和抛光处理之配向膜的第1基板,和与前述第1基板对向配置,具有对向电极和抛光处理之配向模的第2基板,和介于前述第1基板和前述第2基板间的光学物质,和形成于对应于前述第1基板之前述画素电极间的前述配向膜表面,对于前述抛光处理方向,呈滑落的阶差部,和形成于对向于前述第1基板和前述第2基板之至少一方之基板之前述滑落之阶差部的范围的遮光部者。15.如申请专利范围第14项之光电装置,其中,前述阶差部之滑落部系形成于相互不同之极性所驱动之邻接画素电极间者。16.一种光电装置,其特征系具备具有复数之画素电极和抛光处理之配向膜的第1基板,和与前述第1基板对向配置,具有对向电极和抛光处理之配向膜的第2基板,和介于前述第1基板和前述第2基板间的光学物质,和形成于前述第1基板和前述第2基板之至少一方的基板,规定画素范围之遮光部,和形成于对向于前述第1基板之前述配向膜表面之前述遮光部的范围之附近,对于前述抛光处理方向,呈上滑的阶差部者。17.如申请专利范围第16项之光电装置,其中,前述阶差部系以形成于与前述抛光处理方向交叉之方向的隆起部所构成。18.如申请专利范围第17项之光电装置,其中,前述阶差部之范围上之光电物质之层厚系较未形成前述阶差部之范围上之光电物质之层厚为薄者。19.如申请专利范围第16项之光电装置,其中,前述阶差部系以形成于与前述抛光处理方向交叉二方向的凹部所构成。20.如申请专利范围第19项之光电装置,其中,前述凹部系以形成于前述第1基板的沟部所形成,于前述沟部之范围配设配线。21.如申请专利范围第16项之光电装置,其中,前述阶差部之上滑部系形成于光透过性范围者。22.一种光电装置,其特征系具备具有复数之画素电极和抛光处理之配向膜的复数层所成之第1基板,和与前述第1基板对向配置,具有对向电极和抛光处理之配向膜的第2基板,和介于前述第1基板和前述第2基板间的光学物质,和形成于前述第1基板之沟部,和沿前述沟部配设之配线,和形成于前述沟部之范围上之前述配向膜表面的阶差部,和形成于对向于呈前述第1基板和前2基板之至少一方的基板之前述滑落之阶差部的范围之遮光部;前述第1基板之前述抛光处理方向系对前述阶差部而言呈滑落方向者。23.如申请专利范围第22项之光电装置,其中,前述配线系构成蓄积容量者。24.一种光电装置,其特征系具备具有复数之画素电极之第1基板,和与前述第1基板对向配置的第2基板,和介于前述第1基板和前述第2基板间的光学物质,和对应于以相互不同之极性驱动之邻接之前述画素电极间,形成于前述第1基板之配向膜表面的隆起部,和具有前述隆起部系对于前述第1基板之前述抛光处理方向呈滑落之滑落部,形成于对向于前述第1基板和前述第2基板之至少一方之基板之前述滑落部的范围的遮光部者。25.如申请专利范围第24项之光电装置,其中,前述隆起部系将配线加以配设而形成者。26.如申请专利范围第24项之光电装置,其中,前述隆起部系具有对于抛光处理方向呈上滑之上滑部,前述上滑部系形成于光透过性范围者。27.一种投影机,其特征系具备申请专利范围第1项至第26项之任一之光电装置所成之灯炮,和投射光学系统者。28.一种具备复数之画素电极之基板,其特征系具备抛光处理之配向膜,和形成于对应于前述画素电极间之前述配向膜表面,对于前述抛光处理方向呈上滑之阶差部者。29.如申请专利范围第28项之具备复数之画素电极之基板,其中,前述阶差部系以为配置配线之沟部加以形成者。30.如申请专利范围第28项之具备复数之画素电极之基板,其中,前述阶差部系以减低画素电极间之横电场的隆起部加以形成者。31.如申请专利范围第28项之具备复数之画素电极之基板,其中,前述阶差部系具有对于前述抛光处理方向呈滑落之滑落部,于对向于前述滑落部之范围,形成遮光部者。32.一种光电装置之制造方法,属于具备挟持光电物质,相互对向之第1基板及第2基板,和设于前述第1基板上的复数之画素电极及配向膜,和对向于前述画素电极设于前述第2基板上之对向电极的光电装置之制造方法中,其特征系具备于画素电极邻接之一方向中,该画素电极之间之配向膜及前述画素电极上之配向膜被平坦化地,形成基底面,且于其他方向,于画素电极所邻接之画素电极间之基底面,形成凸形状之第1阶差部分的工程,和于前述第1阶差部分,使前述画素电极之缘加以定位地,形成该画素电极之工程,和对于前述配向膜施以抛光处理之工程,和于前述第1阶差部分之倾斜面中,对于前述配向膜之抛光处理之方向呈滑落的倾斜面,呈平面性重叠地,于前述第1基板或第2基板之至少一方形成遮光膜的工程者。33.一种光电装置之制造方法,属于具备挟持光电物质,相互对向之第1基板及第2基板,和设于前述第1基板上的复数之画素电极及配向膜,和对向于前述画素电极设于前述第2基板上之对向电极;前述复数之画素电极系由在第1周期为反转驱动之第1之画素电极群,和在与前述第1周期互补之第2周期为反转驱动之第2之画素电极群所成的光电装置之制造方法中,其特征系具备属于前述同一之画素电极群之画素电极间邻接之方向中,属于该同一之画素电极群之画素电极间之间的配向膜及前述画素电极上之配向膜被平坦化地,形成基底面,且于属于前述第1之画素电极群之画素电极和属于前述第2之画素电极群之画素电极所邻接之画素电极间之基底面,形成且形状之第1阶差部分的工程,和于前述第1阶差部分,使前述画素电极之缘加以定位地,形成该画素电极之工程,和对于前述配向膜施以抛光处理之工程,和于前述第1阶差部分之倾斜面中,对于前述配向膜之抛光处理之方向呈滑落的倾斜面,呈平面性重叠地,于前述第1基板或第2基板之至少一方形成遮光膜的工程者。图式简单说明:第1图系第1实施例之光电装置之构成映像显示领域之矩阵状之复数之画素上所设之各种元件,配线等之等效电路。第2图系在于第1及第2实施例之光电装置之形成了资料,扫瞄线,画素电极之TFT阵列基板之相邻接之复数之画素群之平面图。第3图系第1实施例之第2图之A-A′断面图。第4图系第1实施例之第2图之B-B′断面图。第5图系第1实施例之第2图之C-C′断面图。第6图系表示第1实施例所使用之1H反转驱动方式之发生各电极之电位极性及横电场之领域之画素电极之图式的平面图。第7图系在于第1实施例而使用TN液晶时之液晶分子之指向之情形之图式的断面图。第8图系,依顺序的表示第1实施例之光电装置之制造过程之过程图。第9图系第2实施例之第2图之A-A′断面图。第10图系第2实施例之第2图之B-B′断面图。第11图系第2实施例之第2图之C-C′断面图。第12图系表示本发明之各实施例中之形成于基板上之沟之各种变形例之断面图。第13图系从面向基板之侧一齐观视各实施例之光电装置上之TFT基板以及形成于各构成要素之平面图。第14图系第13图之H-H′断面图。第15图系电子机器之实施例。第16图系使用本实施例之应用例之投射型显示装置之实施例。第17图系使用本实施例之应用例之个人电脑之实施例。 |
