| 主权项 |
1.一种0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,适用于一其上具有一电子束微影所形成的电子束阻剂图案之基底,包括下列步骤:于具有该电子束阻剂图案上涂布一微缩剂;施行一混合烘烤程序,用以使具有该电子束阻剂图案与该微缩剂产生交联反应,而使具有该电子束阻剂图案变形成具有一微缩图案之阻剂;以及除去残余未反应之该微缩剂。2.如申请专利范围第1项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该基底之材料系由玻璃、陶瓷、金属、半导体、高分子聚合物、或前述材料之组合中选用。3.如申请专利范围第1项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该微缩剂系为Clariant所产制的AZ-R200。4.如申请专利范围第1项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该混合烘烤程序包括一软烤及一微缩烤。5.如申请专利范围第5项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该软烤为于温度70-90℃进行30-120秒。6.如申请专利范围第5项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该微缩烤为于温度100-130℃进行30-120秒。7.如申请专利范围第1项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该阻剂与该微缩剂产生交联反应是为电子酸放大或光学酸放大。8.如申请专利范围第1项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中该阻剂与该微缩剂产生交联反应是为电子硷放大或光学硷放大。9.如申请专利范围第1项所述之0.1微米以下微影制程之化学微缩方法,其中除去残余未反应之该微缩剂系使用5-15%异丙醇来施行。图式简单说明:第1A至1E图为一系列剖面图,显示依据本发明方法之一较佳实施例的制造流程。第2图系显示微缩烤温度参数条件对微缩洞图案尺寸之关系图。第3图系显示微缩烤时间参数条件对微缩比例之关系图。第4A及4B图系显示原尺寸180奈米的洞图案(第4A图),经过化学微缩方法处理后可达75奈米(第4B图)之扫瞄式电子显微镜分析照片。 |
