记忆体单元之背景操作

摘要

本发明揭示一种执行记忆体单元(105)操作(例如，拭除程式规划或读取)的技术，该技术系将一动态操作电压而非连续操作电压供应至该等记忆体单元的闸极(111，113)。此方式能减少操作期间所消耗的电力。当所选取记忆体单元在运作时，动态操作或背景操作(例如背景拭除)也允许发生其它操作，例如读取、程式规划或拭除)。与连续操作相较，使用动态操作能改良一积体电路的操作速度。在一背景拭除的具体实施例中，使用一电荷帮浦(204，208)将该拭除闸极充电至拭除电压。然后关闭该帮浦(212)，并使该拭除闸极动态地维持在该拭除电压(216)。将定期检查该拭除闸极的拭除电压，并依情况重新整理，直到该记忆体单元完全被拭除为止(224)。当该电荷帮浦被关闭且该拭除电压动态维持在该拭除期间时，可执行其它操作，该操作较可能是在其它记忆体单元上执行(220)。

主权项

1.一种用于操作一具有非挥发性记忆体单元积体电路之方法,包括:开启一电荷帮浦,以产生一拭除电压;将一个或一个以上非挥发性记忆体单元的拭除闸极充电至该拭除电压,其中该等非挥发性记忆体系被选定要经过拭除处理;关闭该电荷帮浦;在关闭该电荷帮浦的同时,允许该拭除闸极动态维持该拭除电压,及使用该动态拭除电压来拭除该等选定的非挥发性记忆体单元。2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:定期开启该电荷帮浦,以重新整理在该拭除闸极的拭除电压。3.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:在关闭该电荷帮浦的同时,允许程式规划非挥发性记忆体单元,除被选定要拭除的该等非挥发性记忆体单元以外。4.如申请专利范围第2项之方法,进一步包括:在关闭该电荷帮浦的同时,允许读取非挥发性记忆体单元,除被选定要拭除的该等非挥发性记忆体单元以外。5.如申请专利范围第1项之方法,其中每个非挥发性记忆体单元皆包括二个浮点闸极电晶体和一具有一拭除闸极的选择电晶体。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该拭除电压的电压范围从约为15伏特到22伏特之间。7.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:检查该等选定非挥发性记忆体单元是否已被拭除;及如果该等选定非挥发性记忆体单元尚未被拭除,则开启该电荷帮浦以重新整理该拭除闸极上的拭除电压。8.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:关闭电荷帮浦的同时,允许该积体电路内的其它操作,除了对被选定要拭除之该等非挥发性记忆体单元的操作外。9.如申请专利范围第7项之方法,进一步包括:在拭除该等选定非挥发性记忆体单元后,从该拭除闸极放电该拭除电压。10.一种操作一积体电路之方法,包括:拭除被选定的记忆体单元,其方式为定期将一拭除电压直接供应至该拭除闸极,以动态充电该等选定记忆体单元的拭除闸极;未将该拭除电压直接供应至该拭除闸极时,允许操作记忆体单元,除该等选定记忆体单元以外;及当拭除该等选定记忆体单元时,将该所选定记忆体单元的拭除闸极放电至一低于该拭除电压的电压位准。11.如申请专利范围第10项之方法,其中于一浮点闸极电晶体的VT(门限电压)値变成约为6伏特或以上时,拭除该等选定记忆体单元。12.如申请专利范围第10项之方法,其中藉由动态充电该等记忆体单元的所有拭除闸极,可选择拭除该积体电路内的所有记忆体单元。13.如申请专利范围第11项之方法,其中每一个记忆体单元包括一浮点闸极电晶体。14.如申请专利范围第11项之方法,其中每一个记忆体单元包括一多位元浮点闸极电晶体。15.一积体电路,包括:一记忆体单元阵列,其以行列方式排列;复数个转换电晶体,每个转换电晶体皆耦合至记忆体单元阵列中的一列;及复数个拭除帮浦,每个拭除帮浦皆耦合至该等转换电晶体中之一,其中一拭除帮浦经由一各自转换电晶体将一列记忆体单元的拭除闸极动态充电至一拭除电压,并且藉由关闭该各自转换电晶体,而使该拭除电压动态地维持在该拭除闸极。16.如申请专利范围第15项之积体电路,其中每一个记忆体单元包括:一第一浮点闸极电晶体,其具有一第一控制闸极;一第二浮点闸极电晶体,其具有一第二控制闸极;及一选择电晶体,其被耦合于该第一和第二浮点闸极电晶体之间,其中该选择电晶体具有一拭除闸极。17.一种操作一具有非挥发性记忆体之积体电路的方法,该非挥发性记忆体的记忆体单元上具有一已控制闸极动作,包括:开启一电路,以产生一操作电压;将一个或一个以上非挥发性记忆体单元的闸极充电至该操作电压,其中该等非挥发性记忆体系被选定要经过拭除处理;若不需要,则不连接该电路;关闭该电路的同时,使该未被连接的闸极能动态维持电压;及使用该动态电压操作该等选定非挥发性记忆体单元。18.如申请专利范围第17项之方法,进一步包括:若该电路已被关闭则定期开启,并重新连接至该先前已选定但未主动放电的闸极。19.如申请专利范围第17项之方法,进一步包括:该电荷帮浦尚未被连接至先前已选定的拭除闸极的同时,允许程式规划非挥发性记忆体单元,除被选定要拭除的该等非挥发性记忆体单元以外。20.如申请专利范围第17项之方法,进一步包括:该电荷帮浦尚未被连接至先前已选定的拭除闸极的同时,允许读取非挥发性记忆体单元,除被选定要拭除的该等非挥发性记忆体单元以外。21.如申请专利范围第17项之方法,进一步包括:评估是否已完成该特定操作;及如果该特定操作在已选择的非挥发性记忆体单元未被完成,则连接该电荷帮浦,以重新整理在该闸极上的操作电压。22.一种积体电路操作方法,包括:将一操作电压连接至非挥发性记忆体单元的一第一部份;将非挥发性记忆体单元该第一部份的一节点充电至该操作电压;切断该操作电压与该记忆体单元第一部份之节点;允许该非挥发性记忆体单元第一部份的节点动态维持该操作电压;以动态方式在操作挥发性记忆体单元的该第一部份。23.如申请专利范围第22项之方法,进一步包括:动态操作非挥发性记忆体单元的该第一部份的同时,也允许操作非挥发性记忆体单元的一第二部份。图式简单说明:图1图示一用于操作该记忆体单元的记忆体单元和电路的阵列。图2图示动态拭除记忆体单元的流程图。图3图示在记忆体单元上动态操作的流程图。图4图示一NOR(非或)快闪记忆体单元的图。图5图示某些NAND(非及)快闪记忆体单元的图。