发明名称 提升光罩品质之方法
摘要 一种移除光罩上图案开口中不透光微粒以提升光罩制作品质之方法。首先,形成图案开口于透明底材上之不透光层中,且在图案开口的底部表面具有不透光微粒。接着,形成负光阻层于图案开口中,并覆盖不透光微粒。负光阻层形成后,对透明底材进行背部曝光程序,并以显影程序移除未曝光之部分负光阻层。随后以残留之负光阻层为罩幕,由此透明底材之正面移除不透光微粒。最后,去除残留之负光阻层。
申请公布号 TW567390 申请公布日期 2003.12.21
申请号 TW091111364 申请日期 2002.05.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 周伟仁;温志伟;蔡飞国
分类号 G03F1/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 李长铭 台北市中山区南京东路二段五十三号九楼;翁仁滉 台北市中山区南京东路二段五十三号九楼
主权项 1.一种移除图案开口中不透光微粒以提升光罩品质之方法,首先形成图案开口于透明底材上之不透光层中,且在该图案开口底部表面具有不透光微粒,该方法至少包含下列步骤:形成负光阻层于该图案开口中,且覆盖该不透光微粒;对该透明底材进行背部曝光程序;去除未曝光之部分该负光阻层;以曝光后残留之部分该负光阻层为罩幂,由该透明底材之正面移除该不透光微粒;以及去除残留之该负光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之透明底材为石英玻璃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之透明底材为半导体底材。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之不透光层为金属层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之不透光微粒为金属微粒。6.一种提升光罩品质之方法,用以在移除光罩金属微粒过程中避免河床效应产生之方法,首先形成图案开口于玻璃底材上表面之金属层中,以暴露出部分该玻璃底材之上表面,其中在该图案开口之底部表面具有未被移除之金属微粒,该方法至少包含下列步骤:涂布负光阻层于该金属层上,并覆盖该图案开口与该金属微粒;由该玻璃底材之背部对该负光阻层进行曝光程序;移除位于该部分金属层以及该金属微粒正上方之部分负光阻层,而于未被该金属微粒遮盖之该图案开口底部表面形成蚀刻罩幂层;由该玻璃底材之正面对该金属微粒施以蚀刻程序,以去除该金属微粒;以及移除该蚀刻罩幂层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述玻璃底材之材料为石英。8.一种提升光罩品质之方法,该方法至少包括下列步骤:提供一透明底材;沉积一金属层于该透明底材上;蚀刻该金属层以定义开口图案于其中,并曝露出部份该透明底材上表面;涂布负光阻于该透明底材上,且填充于该开口图案中;对该透明底材进行背部曝光,其中当该开口图案底部有金属微粒时,位于该金属微粒正上方之部份该负光阻将不会曝光;进行显影程序以移除未曝光之部份该负光阻;以及以残留于该开口图案中之部分该负光阻作为蚀刻罩幂,对残留之金属微粒进行蚀刻程序,以将其移除。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述透明底材之材料为石英。图式简单说明:第一图为光罩之截面图,显示目前业界使用之光罩材料组成;第二图为光罩之截面图,显示根据目前业界技术制作图案开口于金属层中之步骤;第三图为光罩之截面图,显示根据目前业界技术产生金属微粒于图案开口底部表面之步骤;第四图为光罩之截面图,显示根据目前业界技术产生河床效应之情形;第五图为光罩之截面图,显示根据本发明制作图案开口于金属层中之步骤;第六图为光罩之截面图,显示根据本发明产生金属微粒于图案开口底部表面之步骤;第七图为光罩之截面图,显示根据本发明涂布负光阻层于金属层上并覆盖图案开口与金属微粒之步骤;第八图为光罩之截面图,显示根据本发明对玻璃底材进行背部曝光之步骤;以及第九图为光罩之截面图,显示根据本发明移除未被曝光之部分光阻层之步骤。
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号