| 主权项 |
1.一种内部(in situ)反应性气体电浆处理方法,用来除去一金属蚀刻室内金属蚀刻过程中所产生之残余物,以增进该金属蚀刻室之粒子性能,其包含以下步骤:对一晶片进行金属蚀刻过程,其中该金属蚀刻过程后会于该金属蚀刻室内及该晶片上残留该残余物;于该金属蚀刻过程后将该金属蚀刻室抽真空;导入一腐蚀气体于该金属蚀刻室内,其中该腐蚀气体为BCl3;以及加入一电磁源于该金属蚀刻室内使该腐蚀气体形成一电浆而其该残余物反应以除去该金属蚀刻室内及该晶片上之该残余物。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属蚀刻过程为一电浆蚀刻过程。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该残余物为该金属蚀刻过程后残留之白色粉末,其包含金属、光阻及该电浆蚀刻过程中所导入之一蚀刻气体成分。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该金属为铝合金。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该蚀刻气体包含BCl3及Cl2及(N2或Ar)。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该腐蚀气体之流率为100sccm。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系于该金属蚀刻过程后在将该晶片移离该金属蚀刻室前,内部(in situ)进行反应性气体电浆处理。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电磁源为一射频(r.f.)电磁源。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电浆与该残余物之反应时间为10秒。10.一种内部(in situ)反应性气体电浆处理方法,其包含以下步骤:(1)对一晶片进行金属蚀刻过程,其中该金属蚀刻过程后会至少于该金属蚀刻室内及该晶片两者上之一残留该残余物;以及(2)导入一腐蚀气体与该残余物反应以内部除去该金属蚀刻室内及该晶片上之该残余物。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该步骤(1)包含于该金属蚀刻过程后将该金属蚀刻室抽真空之步骤。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该步骤(2)包含导入该腐蚀气体于该金属蚀刻室内之步骤。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该步骤(2)包含加入一电磁源于该金属蚀刻室内使该腐蚀气体变成一电浆而与该残余物反应之步骤。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该腐蚀气体为BCl3。15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该腐蚀气体之流率为100sccm。图式简单说明:第一图:系为本案较佳实施例金属蚀刻室之示意图。 |
