发光晶片

摘要

本创作系有关一种发光晶片，其受到电流的导通后可产生发光，可应用于作为发光二极体的光源，其主要系由发光层、电极所组成，并且以绝缘性及散热性良好材质作为发光层的基板，使整个发光晶片本身即具有高度的散热特性，藉以提高发光晶片的作用功率，可使发光二极体能被更有效及广泛的应用，又，其电极之设计系可使发光晶片的发光面积不会受到遮蔽，而达到全面积发光的特性。五、(一)、本案代表图为：第3图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：30 发光晶片 301 发光层302 p极电极 3021 接着部3022 金属导线接着部 303 n极电极3031 接着部 3032 金属导线接着部304 散热基板

主权项

1.一种发光晶片,包括:一散热基板,具绝缘及散热特性;一p极电极,形成于基板上,该p极电极的一端为接着部,另一端为金属导线接着部;一n极电极,形成于基板上,该n极电极的一端为接着部,另一端为金属导线接着部;一发光层,其下平面与该p极电极以及该n极的该接着部相搭接,又,该p极电极及该n极电极的该金属导线接着部之底面并与该基板相接着,且接着后,该基板、该p极电极及该n极电极的该金属导线接着部外露于该发光层底部。2.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该p极电极及该n极电极可与电流导通。3.如申请专利范围第2项所述之发光晶片,其中该p极电极及该n极电极与电流导通后,该发光层的主发光面为该发光层之上平面。4.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该发光层系以GaN(氮化镓)为主要材料。5.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该发光层之材质由GaAs、GaP、磷砷化镓(GaAsP)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)之其中一种或二种以上混制而成。6.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该发光层表面涂布有一萤光体层。7.如申请专利范围第6项所述之发光晶片,其中该萤光体层为铝石榴石型萤光粉(yttuium aluminum garnet;YAG)。8.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该发光层表面涂布有一混光层,该混光层系由散射体微粒,萤光体微粒及扩散体微粒,混合而成。9.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该散热基板为一种陶瓷基板。10.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该散热基板系由氧化铝材质或氧化铝化合物所构成。11.如申请专利范围第1项所述之发光晶片,其中该散热基板系由氮化铝材质或氮化铝化合物所构成。12.一种发光二极体,包括:一发光晶片,该发光晶片系由一散热基板、一组p-n极电极及一发光层结合而成,结合后该散热基板位于最底层,该p-n极电极则介于该散热基板及该发光层的下平面之间,又,该p极电极及该n极电极的一端为金属导线接着部,且,该金属导线接着部与该散热基板结合后,外露于该发光层底部;一组支架,该支架具有一凹槽,可使该发光晶片以该散热基板之底部固定于该凹槽中,该支架底部为一插脚;一p极导线,连结于该发光晶片之p极电极的该金属导线接着部与该支架的p极;一n极导线,连结于该发光晶片之n极电极的该金属导线接着部与该支架的n极;以及一环氧树脂将上述各构件封装包覆,封装完成后,该支架的该插脚外露以方便连接电流导通。13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体,其中该p极电极及该n极电极与电流导通后,该发光晶片的主发光面为该发光层之上平面。14.如申请专利范围第12项所述之发光二极体,其中该发光层系以GaN(氮化镓)为主要材料。15.如申请专利范围第12项所述之发光二极体,其中该发光层之材质由GaAs、GaP、磷砷化镓(GaAsP)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)之其中一种或二种以上混制而成。16.如申请专利范围第12项所述之发光二极体,其中该发光晶片的该发光层表面覆盖有一萤光体层,且将整个该发光晶片完整覆盖。17.如申请专利范围第16项所述之发光二极体,其中该萤光体层为铝石榴石型萤光粉(yttuium aluminum garnet;YAG)。18.如申请专利范围第12项所述之发光二极体,其中该发光晶片的该发光层表面覆盖有一混光层,且该混光层将整个该发光晶片完整覆盖,又该混光层系由散射体微粒,萤光体微粒及扩散体微粒,混合而成。19.一种发光二极体,包括:一发光晶片,该发光晶片系由一散热基板、一组p-n极电极及一发光层结合而成,结合后该散热基板位于最底层,该p-n极电极则介于该散热基板及该发光层的下平面之间,又,该p极电极及该n极电极的一端为金属导线接着部,且,该金属导线接着部与该散热基板结合后,外露于该发光层底部;一萤光体层,涂布于该发光层表面;一组支架,该支架具有一凹槽,可使该发光晶片以该散热基板之底部固定于该凹槽中,该支架底部为一插脚;一p极导线,连结于该发光晶片之p极电极的该金属导线接着部与该支架的p极;一n极导线,连结于该发光晶片之n极电极的该金属导线接着部与该支架的n极;以及一环氧树脂将上述各构件封装包覆,封装完成后,该支架的该插脚外露以方便连接电流导通,当电流导通后,该晶片所发出的光可激发该萤光体层以产生不同波长的光,并产生混光。20.如申请专利范围第19项所述之发光二极体,其中该p极电极及该n极电极与电流导通后,该发光晶片的主发光面为该发光层之上平面。21.如申请专利范围第19项所述之发光二极体,其中该发光层系以GaN(氮化镓)为主要材料。22.如申请专利范围第19项所述之发光二极体,其中该发光层之材质由GaAs、GaP、磷砷化镓(GaAsP)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)之其中一种或二种以上混制而成。23.如申请专利范围第19项所述之发光二极体,其中该萤光体层为铝石榴石型萤光粉(yttuium aluminum garnet;YAG)。24.一种发光二极体,包括:一发光晶片,该发光晶片系由一散热基板、一组p-n极电极及一发光层结合而成,结合后该散热基板位于最底层,该p-n极电极则介于该散热基板及该发光层的下平面之间,又,该p极电极及该n极电极的一端为金属导线接着部,且,该金属导线接着部与该散热基板结合后,外露于该发光层底部;一混光层,涂布于该晶片表面;一组支架,该支架具有一凹槽,可使该发光晶片以该散热基板之底部固定于该凹槽中,该支架底部为一插脚;一p极导线,连结于该发光晶片之p极电极的该金属导线接着部与该支架的p极;一n极导线,连结于该发光晶片之n极电极的该金属导线接着部与该支架的n极;以及一环氧树脂将上述各构件封装包覆,封装完成后,该支架的该插脚外露以方便连接电流导通,当电流导通后,该晶片所发出的光可激发该混光层以产生不同波长的光,并产生混光。25.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中该p极电极及该n极电极与电流导通后,该发光晶片的主发光面为该发光层之上平面。26.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中该发光层系以GaN(氮化镓)为主要材料。27.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中该发光层材质由GaAs、GaP、磷砷化镓(GaAsP)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)之其中一种或二种以上混制而成。28.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中该混光层,系由散射体微粒,萤光体微粒及扩散体微粒,混合而成。图式简单说明:第1图,习用的发光晶片平面示意图。第2图,习用的发光二极体结构示意图。第3图,本创作结构示意图。第4图,本创作上视平面示意图。第5图,本创作之较佳实施例(一)。第6图,本创作之较佳实施例(二)。第7图,本创作之较佳实施例(三)。第8图,本创作之较佳实施例(四)。第9图,本创作之较佳实施例(五)。第10图,本创作之较佳实施例(六)。第11图,本创作之较佳实施例(七)。