发明名称 用于固定半导体晶片之装置
摘要 一种用于固定半导体晶片之装置,具有拾取及安置系统在垂直方向中固定地配置,用于拾取、传送及固定半导体晶片到基板上。拾取及安置系统包含打接头,具有可相对打接头来偏移之晶片夹持器。晶片夹持器之偏移以打接头上之配置之气动驱动器来发生,打接头具有以活塞来分离之两个压力室,而晶片夹持器固定在活塞。在第一压力室内之现有压力p1及在第二压力室内之现有压力p2以阀系统所控制之调节器来动态地控制。调节器可以两操作模式来操作。在第一操作模式中,晶片夹持器之偏移量及/或其中所获得之变数是以根据量测晶片夹持器偏移量的位置编码器所传送信号来控制。在第二操作模式中,控制压力p1及/或压力p2及/或压力差p1-p2。
申请公布号 TW567574 申请公布日期 2003.12.21
申请号 TW091134429 申请日期 2002.11.27
申请人 艾斯克通商公司 发明人 多明尼克哈曼
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种用于固定半导体晶片之装置,具有拾取及安置系统,用于拾取、传送及安置半导体晶片到基板上,该拾取及安置系统包含打接头,该打接头包括:晶片夹持器,该晶片夹持器可相对该打接头来偏移;气动驱动器,用于控制该晶片夹持器之偏移,该气动驱动器是以活塞来分离之两个压力室所形成;位置编码器,用于量测该晶片夹持器之偏移量;该装置进一步包含:阀系统,用于控制在该第一压力室内之现有压力p1及在该第二压力室内之现有压力p2;第一压力感测器,用于量测在该第一压力室内之现有压力p1;及调节器,可以两操作模式来操作,用于控制该阀系统,该第一操作模式控制该晶片夹持器之偏移量及/或自偏移所获得变数,而该第二操作模式控制该第一压力p1及/或该第二压力p2及/或该压力差p1-p2。2.如申请专利范围第1项之装置,其中进一步包含用于量测该第二压力室内之现有压力p2之第二压力感测器。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该打接头进一步包含用于判定所拾取半导体晶片之下缘位置之光阻障。4.如申请专利范围第2项之装置,其中该打接头进一步包含用于判定所拾取半导体晶片之下缘位置之光阻障。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该拾取及安置系统包括线性导件,用于导引该打接头来回地移动,该线性导件相对该晶片夹持器之偏移方向固定地配置。6.如申请专利范围第2项之装置,其中该拾取及安置系统包括线性导件,用于导引该打接头来回地移动,该线性导件相对该晶片夹持器之偏移方向固定地配置。7.如申请专利范围第3项之装置,其中该拾取及安置系统包括线性导件,用于导引该打接头来回地移动,该线性导件相对该晶片夹持器之偏移方向固定地配置。8.如申请专利范围第4项之装置,其中该拾取及安置系统包括线性导件,用于导引该打接头来回地移动,该线性导件相对该晶片夹持器之偏移方向固定地配置。9.如申请专利范围第1项之装置,其中该拾取及安置系统包括旋转臂,在垂直轴上两极限位置之间旋转,其中该旋转臂不能在垂直方向中移动。10.如申请专利范围第2项之装置,其中该拾取及安置系统包括旋转臂,在垂直轴上两极限位置之间旋转,其中该旋转臂不能在垂直方向中移动。11.如申请专利范围第3项之装置,其中该拾取及安置系统包括旋转臂,在垂直轴上两极限位置之间旋转,其中该旋转臂不能在垂直方向中移动。12.如申请专利范围第4项之装置,其中该拾取及安置系统包括旋转臂,在垂直轴上两极限位置之间旋转,其中该旋转臂不能在垂直方向中移动。13.如申请专利范围第1至12项中任一项之装置,其中该阀系统包含以压电技术所制造之阀或由矽所制成之微机械阀。图式简单说明:第1图是晶片打接机之概略平面图示;第2图是根据本发明之拾取及安置系统的第一实施例;第3图是拾取过程;第4图是具有调节器之阀系统;第5图是具有光阻障之打接头;及第6图是根据本发明之拾取及安置系统的进一步实施例。
地址 瑞士
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