| 主权项 |
1.一种蚀刻处理装置,是对单一的被蚀刻膜实施由适用分别不同的处理程式的复数个蚀刻步骤构成的蚀刻处理,其特征为:该蚀刻处理装置具备将该蚀刻步骤之中,适用于给予接触于该被蚀刻膜的下层膜影响的最后的蚀刻步骤的处理程式固定于预先设定的处理程式,以处理结果为基础生成适用于剩余的蚀刻步骤的处理程式的处理程式生成手段,以该处理程式生成手段生成的处理程式为基础实施蚀刻处理。2.一种蚀刻处理装置,是对单一的被蚀刻膜实施由适用分别不同的处理程式的复数个蚀刻步骤构成的蚀刻处理,其特征为:该蚀刻处理装置具备将该蚀刻步骤之中,适用于给予接触于该被蚀刻膜的下层膜影响的最后的蚀刻步骤的处理程式固定于预先设定的处理程式,以处理结果的目标値以及处理结果的预测値为基础生成适用于剩余的蚀刻步骤的处理程式的处理程式生成手段,以该处理程式生成手段生成的处理程式为基础实施蚀刻处理。3.如申请专利范围第2项所述之蚀刻处理装置,其中具备令以检测蚀刻装置的装置状态的监视器的输出讯号以及监视器输出与蚀刻结果为基础作成的推定模型为基础,推定蚀刻结果的处理结果推定手段。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述之蚀刻处理装置,其中处理程式生成手段在蚀刻处理中至少更新一个参数。5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述之蚀刻处理装置,其中处理程式生成手段所生成的处理程式至少变更氧气流量、蚀刻时间、供给到处理室的高频功率、氯气比(Cl2/(HBr+Cl2))的任一个而生成。6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述之蚀刻处理装置,其中该单一的被蚀刻膜由叠层膜构成。7.如申请专利范围第3项所述之蚀刻处理装置,其中该推定模型是以分光蚀刻处理室内的电浆发光之电浆发光分光监视器所得到的光谱讯号与蚀刻处理结果的相关关系为基础而生成。8.如申请专利范围第1.2.3.7项中任一项所述之蚀刻处理装置,其中该蚀刻处理装置具备监控该被蚀刻膜的残膜厚的膜厚监视器,以该膜厚监视器的输出为基础,完成藉由该处理程式生成手段生成的处理程式所进行的处理。9.一种蚀刻处理方法,是对单一的被蚀刻膜实施由适用分别不同的处理程式的复数个蚀刻步骤构成的蚀刻处理,其特征为:该处理方法具备:以变更以前次的处理结果为基础,预先设定的固定处理程式的至少一个参数而生成的上层部蚀刻用处理程式为基础,蚀刻处理该被蚀刻膜的上层部的步骤;以及以预先设定的该固定处理程式为基础,蚀刻处理接触于该被蚀刻膜的下层膜的下层部的步骤。10.一种蚀刻处理方法,是对单一的被蚀刻膜实施由适用分别不同的处理程式的复数个蚀刻步骤构成的蚀刻处理,其特征为:该处理方法具备:以变更以前次的处理结果以及处理结果的目标値为基础,预先设定的固定处理程式的至少一个参数而生成的上层部蚀刻用处理程式为基础,蚀刻处理该被蚀刻膜的上层部的步骤;以及以预先设定的该固定处理程式为基础,蚀刻处理接触于该被蚀刻膜的下层膜的下层部的步骤。11.如申请专利范围第9项或第10项所述之蚀刻处理方法,其中处理结果是令以检测蚀刻装置的装置状态的监视器的输出讯号与蚀刻结果为基础作成的推定模型为基础进行推定。12.如申请专利范围第9项或第10项所述之蚀刻处理方法,其中具备监控该被蚀刻膜的残膜厚的膜厚监视器,以该膜厚监视器的输出为基础,完成蚀刻处理该被蚀刻膜的上层部的步骤。图式简单说明:图1是显示与本发明的实施形态有关的蚀刻处理装置图。图2是显示闸电极形成制程图。图3是说明蚀刻处理装置的处理图。图4是显示对氧流量的CD値控制性图。图5是说明处理程式的调整方法图。图6是说明使氧流量变化时的CD値的控制机构图。图7是显示蚀刻处理装置的变形例图。图8是显示CD値的控制流程图。图9是显示CD値的控制流程的其他例子图。图10是说明关于闸极长的决定要因图。图11是说明膜厚监视器的使用方法图。 |
