| 主权项 |
1.一种液晶显示器装置,其特征在于包括:有源(主动)元件;与所述有源元件连接的连接电极;所述有源元件和所述连接电极上的绝缘层;所述绝缘层上的像素电极,该像素电极具有一边缘;遮光区域;以及设置在所述绝缘层中用以连接所述连接电极和所述像素电极的连接孔,所述连接孔所具有的细长形状,具有包含最小曲率半径在内的多个曲率半径,所述连接孔至少最小曲率半径其附近并延伸至所述电极边缘的所述像素电极部分,完全位于所述遮光区域以内。2.一种液晶显示器装置,其特征在于包括:有源元件;与所述有源元件连接的连接电极;所述有源元件和所述连接电极上的绝缘层;所述绝缘层上的像素电极,该像素电极具有一边缘;遮光区域;以及设置在所述绝缘层中用以连接所述连接电极和所述像素电极的连接孔,所述连接孔具有主轴和与之正交的短轴,其中,沿所述主轴延伸至所述电极边缘的所述像素电极部分完全位于所述遮光区域以内。3.一种液晶显示器装置,其特征在于,具有一包括有源元件在内的衬底(基体),该衬底具有的像素电极,该像素电极在上层上面具有边缘,经所述层间绝缘层中设置的连接孔,与层间绝缘层下面有源元件的规定电极连接,所述液晶显示器装置还包括遮光区域,其中,所述连接孔通常为具有主轴的椭圆形状,所述连接孔大致沿所述主轴延伸,所述主轴延伸至像素电极边缘,所述主轴位于遮光区域以内。4.如申请专利范围第3项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述遮光区域是由遮光层和所述有源元件至少一电极遮光的区域。5.如申请专利范围第3项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述连接孔设置在靠近由两像素电极边缘形成的有源元件的像素电极角部,使得所述主轴横跨形成所述像素电极所述角部的两边缘。6.如申请专利范围第5项所述的液晶显示器装置,其特征在于,像素电极具有形成一夹角的两边缘,所述连接孔的所述主轴与所述夹角的角平分线正交。7.如申请专利范围第5项所述的液晶显示器装置,其特征在于,最接近所述连接孔的像素电极的所述角部具有一顶点,所述顶点沿着与所述主轴接近平行的方向切除。8.如申请专利范围第5项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述遮光区域是由遮光层和所述有源元件至少一电极遮光的区域。9.如申请专利范围第6项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述遮光区域是由遮光层和所述有源元件至少一电极遮光的区域。10.如申请专利范围第7项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述遮光区域是由遮光层和所述有源元件至少一电极遮光的区域。11.如申请专利范围第3项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述规定电极是汲极。12.如申请专利范围第5项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述规定电极是汲极。13.如申请专利范围第6项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述规定电极是汲极。14.如申请专利范围第7项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述规定电极是汲极。15.如申请专利范围第3项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述层间绝缘层由有机材料制成。16.如申请专利范围第5项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述层间绝缘层由有机材料制成。17.如申请专利范围第6项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述层间绝缘层由有机材料制成。18.如申请专利范围第7项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述层间绝缘层由有机材料制成。19.如申请专利范围第3项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述像素电极是铟锡氧化物。20.如申请专利范围第5项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述像素电极是铟锡氧化物。21.如申请专利范围第6项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述像素电极是铟锡氧化物。22.如申请专利范围第7项所述的液晶显示器装置,其特征在于,所述像素电极是铟锡氧化物。23.一种液晶显示器装置制造方法,其特征在于包括:在衬底上形成有源元件和与所述有源元件连接的连接电极;在所述有源元件的所述连接电极上形成绝缘层,并在所述绝缘层中形成连接孔,该连接孔具有包含最小曲率半径在内的多个曲率半径;在所述液晶显示器装置中形成遮光;以及在所述绝缘层上形成像素电极,所述像素电极经所述连接孔与所述连接电极连接,对从所述连接孔最小曲率半径延伸至所述像素电极、靠近最小曲率半径的所述像素电极部分进行遮光。24.一种液晶显示器装置制造方法,其特征在于包括:在衬底上形成有源元件和与所述有源元件连接的连接电极;在所述有源元件的所述连接电极上形成绝缘层,并在所述绝缘层中形成连接孔,所述连接孔具有主轴和与之正交的短轴;以及在所述绝缘层上形成具有边缘的像素电极,所述像素电极经所述连接孔与所述连接电极连接,对沿所述主轴并延伸至所述电极边缘的所述像素电极部进行遮光。25.一种液晶显示器装置制造方法,其特征在于,包括:在衬底上形成包含有源元件电极和导线在内的电极;在所述有源元件电极上形成绝缘层,并在所述绝缘层中形成一具有主轴的接近椭圆形的连接孔;以及在所述绝缘层上形成像素电极,所述像素电极经所述连接孔与所述有源元件的所述电极连接,对大致沿所述椭圆连接孔的所述主轴延伸并从所述连接孔至所述像素电极边缘的所述像素电极部进行遮光。26.如申请专利范围第25项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述有源元件电极是汲极。27.如申请专利范围第25项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述绝缘层由有机材料制成。28.如申请专利范围第26项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述绝缘层由有机材料制成。29.如申请专利范围第25项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极是铟锡氧化物形成的。30.如申请专利范围第26项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极是铟锡氧化物形成的。31.一种液晶显示器装置制造方法,其特征在于包括:在衬底上形成包含有源元件电极和导线等电极;在所述有源元件电极上形成绝缘层,并在所述绝缘层中形成一具有主轴的接近椭圆形的连接孔;在所述绝缘层上形成具有边缘的像素电极,经所述连接孔与所述有源元件的所述电极连接;以及形成遮光层,对所述连接孔大致沿所述连接孔的所述主轴延伸至所述像素电极边缘的所述像素电极部进行遮光。32.如申请专利范围第31项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述规定电极是汲极。33.如申请专利范围第31项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述绝缘层由有机材料制成。34.如申请专利范围第32项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述绝缘层由有机材料制成。35.如申请专利范围第34项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。36.如申请专利范围第31项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。37.如申请专利范围第32项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。38.如申请专利范围第33项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。39.一种液晶显示器装置制造方法,其特征在于,包括:在衬底上形成有源元件电极和导线;在所述有源元件上形成绝缘层,所述绝缘层具有接近椭圆形的连接孔,所述连接孔具有主轴,所述连接孔在所述有源元件所需电极上;在所述绝缘层上形成经所述连接孔与所述所需电极连接的像素电极,所述连接孔大致沿所述椭圆连接孔的主轴延伸至所述像素电极边缘的像素电极部,部分被所述所需电极覆盖,所述所需电极遮住光透射;以及形成遮光层,提供对所述像素电极部未被所述所需电极覆盖的余下区域遮住光透射的遮光区域。40.如申请专利范围第39项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述有源元件是薄膜电晶体,与所述像素电极连接的所述所需电极是汲极。41.如申请专利范围第39项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述层间绝缘层由有机材料制成。42.如申请专利范围第40项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述层间绝缘层由有机材料制成。43.如申请专利范围第39项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。44.如申请专利范围第40项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。45.如申请专利范围第41项所述的液晶显示器装置制造方法,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物制成。46.一种液晶显示器装置,其特征在于包括:遮光区域,由绝缘层分开的连接电极和像素电极,经绝缘层中的细长连接孔与连接电极连接的像素电极,所述连接孔具有至少一个最小曲率半径,从所述最小曲率半径延伸至电极边缘的像素电极区域,对于所要发生的从所述最小曲率半径延伸至所述电极边缘的裂纹来说,具有高机率,所述像素电极区域完全位于所述遮光区域以内。47.一种消除液晶显示器装置中像素电极裂纹造成的可视缺陷的方法,该液晶显示器装置包括连接电极,和通过绝缘层与其绝缘、经所述绝缘层中的连接孔与其连接的像素电极,所述方法,其特征在于包括:通过形成像细长孔那样具有至少一个最小曲率半径的所述连接孔,产生一在所述像素电极中从所述连接孔至所述像素电极边缘引发裂纹的高机率区;对所述连接孔进行定位和取向,以提高所述连接孔所述小曲率半径处至所述像素电极相邻边缘间发生裂纹的机率;以及对所述裂纹高机率区进行遮光。48.如申请专利范围第47项所述的方法,其特征在于,所述连接电极与有源元件相邻,所述连接孔也与所述有源元件相邻,所述遮光步骤还对所述有源元件遮光。图式简单说明:第1A图是本发明第一和第二示范性实施例液晶显示器装置其单个像素的平面示意图。第1B图是第1A图的纵向剖面示意图。第2A图是示出第1A和1B图所示装置有源元件衬底第一制造步骤的平面示意图。第2B图是示出本发明另一制造步骤中液晶显示器装置有源元件衬底和面板的平面示意图。第2C图示出第2B图中所示液晶显示器装置其像素电极出现裂纹的状态以及遮光状态。第3A图是按本发明制造的另一液晶显示器装置的平面示意图。第3B图示出第3A图中所示液晶显示器装置其像素电极出现裂纹的状态以及遮光状态。第4A图是本发明第四实施例有源元件衬底制造状态的平面示意图。第4B图是第4A图液晶显示器装置包含遮光层的有源元件衬底和面板的平面示意图。第4C图示出第4B图中所示液晶显示器装置其像素电极出现裂纹的状态以及遮光状态。第5A图是按现有技术制造的现有液晶显示器装置的平面示意图。第5B图是第5A图显示器的纵向剖面示意图。第6图示出第5A和5B图中所示液晶显示器装置其出现裂纹的状态以及遮光状态。 |
