| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其特征在于系包括:(a)第一基板,系位于输入侧上;(b)第二基板,系固定在与第一基板相对处,该第二基板系位于输出侧上;(c)液晶层,系配置在该第一基板与第二基板之间,该液晶层系含有液晶,该液晶层及该第一基板和第二基板构成了液晶区段;(d)准直仪,系用于使液晶准直化,该准直仪系位于输入侧上;(e)第一偏极性控制器,系用于控制入射光的偏极性状态,该第一偏极性控制器系位于输入侧上,该第一偏极性控制器系包含第一偏光板构件及第一1/4波板构件;以及(f)第二偏极性控制器,系用于控制入射光的偏极性状态,该第二偏极性控制器系位于输出侧上,该第二偏极性控制器系包含第二偏光板构件及第二1/4波板构件。2.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中更包括一设置在第一或第二偏光板构件与第一或第二基板之间的半波板(/2)构件。3.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该准直仪指的是一种将各微型透镜配置于对应到各个别像素之矩阵阵列内的微型透镜阵列。4.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中该微型透镜阵列系由可藉雷射光之照射作用使之产生形变的材料制成的;且其中该阵列系与第一基板的背面黏合在一起。5.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该液晶层的液晶具有负的各向异性介电常数;且其中系在未跨越该液晶层施加有任何电压时将液晶的各分子定向成大概垂直于第一基板。6.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中该液晶的光学各向异性为n且该液晶层的厚度为d;且其中该各向异性为n与厚度d的乘积(nd)系落在400奈米到800奈米的范围内。7.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该液晶层的液晶具有正的各向异性介电常数;且其中系在未跨越该液晶层施加有任何电压时使液晶的各分子对齐而具有均匀的结构。8.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该第一基板系含有扫瞄信号电极、资料电极及像素电极;且其中该第二基板系含有与各像素电极相对的反转电极。9.如申请专利范围第8项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有对称的形状;且其中该第二基板上的反转电极会完全覆盖住该第一基板上的各电极,且系比该第一基板上的各电极更宽。10.如申请专利范围第8项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有一系列的对称形状。11.如申请专利范围第9项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有一落在对应于某一对称轴之位置上的凹陷。12.如申请专利范围第9项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有一落在对应于某一对称中心之位置上的柱状空间层。13.如申请专利范围第9项之液晶显示装置,其中该第二基板上电极的结构系包含依完整或局部方式形成于沿着该第一基板之法线观测时与该第一基板上各电极之对称轴重叠之位置上的突起。14.如申请专利范围第9项之液晶显示装置,其中该第二基板上电极的结构系包含依完整或局部方式形成于沿着该第一基板之法线观测时与该第一基板上各电极之对称轴重叠之位置上的开口。15.一种液晶显示装置,其特征在于系包括:(a)第一基板,系位于输入侧上;(b)第二基板,系固定在与第一基板相对处,该第二基板系位于输出侧上;(c)液晶层,系配置在该第一基板与第二基板之间,该液晶层系含有液晶,该液晶层及该第一基板和第二基板构成了液晶区段;(d)准直仪,系用于使液晶准直化,该准直仪系位于输入侧上;(e)第一偏极性控制器,系用于控制入射光的偏极性状态,该第一偏极性控制器系位于输入侧上,该第一偏极性控制器系包含第一偏光板构件及第一1/4波板构件;以及(f)第二偏极性控制器,系用于控制入射光的偏极性状态,该第二偏极性控制器系位于输出侧上,该第二偏极性控制器系包含第二偏光板构件及第二1/4波板构件;(g)视角控制构件,系位于输出侧上。16.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中该视角控制构件形成为可拆卸的构件;且其中系依需要藉由将该控制构件取代为另一个会产生不同视角的控制构件而调整其视角。17.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中该控制构件可能含有散布有聚合物的液晶;且其中系藉由施加电压改变所用晶体的透射率量値而调整其视角。18.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中进一步包括一设置在第一偏光板构件与第一基板之间的半波板(/2)。19.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中该准直光产生器指的是一种将各微型透镜配置于对应到各个别像素之矩阵阵列内的微型透镜阵列。20.如申请专利范围第19项之液晶显示装置,其中该微型透镜阵列系由可藉雷射光之照射作用使之产生形变的材料制成的;且其中该阵列系与第一基板的背面黏合在一起。21.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中该液晶层的液晶具有负的各向异性介电常数;且其中系在未跨越该液晶层施加有任何电压时将液晶的各分子定向成大概垂直于第一基板。22.如申请专利范围第21项之液晶显示装置,其中该液晶的光学各向异性为n且该液晶层的厚度为d;且其中该各向异性为n与厚度d的乘积(nd)系落在400奈米到800奈米的范围内。23.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中该液晶层的液晶具有正的各向异性介电常数;且其中系在未跨越该液晶层施加有任何电压时使液晶的各分子对齐而具有均匀的结构。24.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中该第一基板系含有扫瞄信号电极、资料电极及像素电极;且其中该第二基板系含有与各像素电极相对的反转电极。25.如申请专利范围第24项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有对称的形状;且其中该第二基板上的反转电极会完全覆盖住该第一基板上的各电极,且系比该第一基板上的各电极更宽。26.如申请专利范围第24项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有一系列的对称形状。27.如申请专利范围第25项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有一落在对应于某一对称轴之位置上的凹陷。28.如申请专利范围第25项之液晶显示装置,其中该第一基板上的每一个电极都具有一落在对应于某一对称中心之位置上的柱状空间层。29.如申请专利范围第25项之液晶显示装置,其中该第二基板上电极的结构系包含依完整或局部方式形成于沿着该第一基板之法线观测时与该第一基板上各电极之对称轴重叠之位置上的突起。30.如申请专利范围第25项之液晶显示装置,其中该第二基板上电极的结构系包含依完整或局部方式形成于沿着该第一基板之法线观测时与该第一基板上各电极之对称轴重叠之位置上的开口。31.一种制造液晶显示装置的方法,其特征在于,系包括下列步骤:(a)设置第一基板,系可藉由雷射光的照射作用使其表面产生形变;以及(b)以具有对应于个别像素之特定强度剖面的雷射光照射在该第一基板的表面上,因而在该第一基板上形成各微型透镜。32.如申请专利范围第31项之制造方法,其中该第一基板的表面系由选自由构成聚羰酸酯、丙烯酸树脂及聚乙醚硫化树脂(PES)的族群之一制成的。图式简单说明:第1图系用以显示一种在输入及输出侧上具有微型透镜阵列之习知LCD装置的局部剖面图。第2图系用以显示一种根据本发明第一实施例之LCD装置结构的局部剖面图。第3A和3B图分别系用以显示第2图中根据本发明第一实施例之LCD装置作业原理的示意图。第4A到4D图分别系在与习知LCD装置作比较下,用以显示第2图中根据本发明第一实施例之LCD装置作业原理的示意图。第5图系用以显示一种根据本发明第二实施例之LCD装置结构的局部剖面图。第6A到6C图分别系用以显示一种根据本发明第三实施例之LCD装置制造方法的局部剖面图,其中系将一微型凸透镜阵列形成于基板上。第7A到7C图分别系用以显示一种根据本发明第四实施例之LCD装置制造方法的局部剖面图,其中系将一微型凹透镜阵列形成于基板上。第8图系用以显示第6A到6C图及第7A到7C图中根据本发明第三和第四实施例之制造方法所用雷射照射装置结构的示意图。第9A和9B图分别系用以显示一种根据本发明之LCD装置中所用视角控制器结构的局部剖面图。第10A图系用以显示沿着第10B图之XA-XA线段所撷取的局部剖面图,其中显示的是一种根据本发明之LCD装置结构在对各液晶分子施行对齐分割作用下的情形。第10B图系用以显示第10A图中LCD装置结构的局部平面图。第11图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第12图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第13图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第14图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第15A图系用以显示沿着第15B图之XVA-XVA线段所撷取的局部剖面图,其中显示的是一种根据本发明之LCD装置结构在对各液晶分子施行对齐分割作用下的情形。第15B图系用以显示第15A图中LCD装置结构的局部平面图。第16图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第17A图系用以显示沿着第17B图之XVIIA-XVIIA线段所撷取的局部剖面图,其中显示的是一种根据本发明之LCD装置结构在对各液晶分子施行对齐分割作用下的情形。第17B图系用以显示第17A图中LCD装置结构的局部平面图。第18图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第19图系用以显示一种根据本发明之LCD装置中像素电极之形状实例的局部平面图。第20A图系用以显示沿着第20B图之XXA-XXA线段所撷取的局部剖面图,其中显示的是一种根据本发明之LCD装置结构在对各液晶分子施行对齐分割作用下的情形。第20B图系用以显示第20A图中LCD装置结构的局部平面图。第21图系用以显示根据本发明第一实施例中LCD装置之一种变型结构的局部剖面图。第22图系用以显示根据本发明第一实施例中LCD装置之另一种变型结构的局部剖面图。 |
