| 主权项 |
1.一种混合型光碟记录媒体,是由一片基板加上介电层、记录层、反射层等层,最后再加上保护层所组成;其中包括:一唯读区,具有深度相同但长度不同之复数个独立坑洞,该坑洞经由机器阅读可产生电气讯号;及一复写区,具有与该唯读区之坑洞等深的沟轨,其中该沟轨之底部最中间是平的。2.根据申请专利范围第1项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞组之坑洞的深度介于1/10波长到1/5波长(wavelength)之间,预刻坑洞宽度(FWHM1)介于3/16轨距到1/2轨距(track pitch)之间;3.根据申请专利范围第1项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之深度介于1/10波长到1/5波长(wavelength)之间,该沟轨之宽度(FWHM2)介于1/2轨距到7/8轨距(track pitch)之间。4.根据申请专利范围第2项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞之深度介于1/10波长到3/20波长(wavelength)之间。5.根据申请专利范围第2项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞之宽度(FWHM1)介于1/4轨距到7/16轨距(track pitch)之间。6.根据申请专利范围第3项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之深度介于1/10波长到3/20波长(wavelength)之间。7.根据申请专利范围第3项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之宽度(FWHM2)在9/16轨距到3/4轨距(track pitch)之间。8.根据申请专利范围第1项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞组之坑洞的深度介于80nm到160nm之间,该坑洞组之坑洞的宽度在300nm到800nm之间。9.根据申请专利范围第8项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞组之坑洞的深度介于80nm到120nm之间。10.根据申请专利范围第8项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞组之坑洞的宽度介于400nm到700nm之间。11.根据申请专利范围第1项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之深度介于80nm到160nm之间,该沟轨之宽度介于800nm到1400nm之间。12.根据申请专利范围第11项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之深度介于80nm到120nm之间。13.根据申请专利范围第11项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之宽度介于900nm到1200nm之间。14.一种混合型光碟记录媒体,是由一片基板加上介电层、记录层、反射层等层,最后再加上保护层所组成;其中包括:一唯读区,具有复数个深度相同并且有连接沟轨加以连接之坑洞,该唯读区经由机器阅读时,可产生电气讯号;及一复写区,具有与该唯读区之坑洞等深的沟轨,其中该沟轨之底部最中间是平的。15.根据申请专利范围第14项所述之混合型光碟记录媒体,其中该唯读区之沟轨深度介于0.1到40nm之间,该坑洞组之坑洞的深度介于80nm到160nm之间,该坑洞组之坑洞的宽度在300nm到800nm之间。16.根据申请专利范围第15项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞组之坑洞的深度介于80nm到120nm之间。17.根据申请专利范围第15项所述之混合型光碟记录媒体,其中该坑洞组之坑洞的宽度介于400nm到700nm之间。18.根据申请专利范围第14项所述之混合型光碟记录媒体,其中该沟轨之深度介于80nm到160nm之间,该沟轨之宽度介于800nm到1400nm之间。19.根据申请专利范围第18项所述之混合型光碟记录媒体,其中该唯读区之连接沟轨深度介于80nm到120nm之间。20.根据申请专利范围第18项所述之混合型光碟记录媒体,其中该唯读区之连接沟轨宽度介于900nm到1200nm之间。图式简单说明:第一图(A)、绘示目前已知之混合型光碟,在制作母模之前,先在一玻璃基板形上成一光阻剂层的剖示图。第一图(B)、绘示目前已知之混合型光碟,在该光阻剂层上蚀刻出唯读区的坑洞及复写区的沟轨,其中沟轨深度因不及于玻璃基板,其雷射切割的深度控制困难,并且会形成中间是尖的沟底。第二图、是依据本发明之一混合型光碟记录媒体实施例的立体图。第三图、是第二图中之A区域的局部立体放大图,其中可容许唯读区的坑洞及复写区的沟轨深度相同。因此,依据本发明之实施例在制作母模前的光阻剂层蚀刻将不会有控制蚀刻深度的问题。第四图、是依据本发明之混合型光碟记录媒体实施例的局部剖面图。第五图、是依据本发明之另一混合型光碟记录媒体实施例的局部立体放大图。此图绘示之实施例特别是在其唯读区增加一连接沟轨以连接坑洞。第六图、是第五图所绘示之混合型光碟记录媒体之实施例的局部剖面图。 |
