| 主权项 |
1.一种光记录媒体,系于基板上顺序形成反射层及记录层,从该记录层侧照射光线而进行资讯之记录再生,其特征在于:将表面具有凹凸之核形成层形成在前述反射层与记录层之间。2.如申请专利范围第1项之光记录媒体,其中前述核形成层系从包含W、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Cr、Pt、Ti、P、Au、Cu、Al、Ag、Si、Gd、Tb、Nd及Pd所构成之群选择之一种或二种以上元素的材料所形成。3. 如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中前述核形成层之表面粗糙度设成0.3nm~1.5nm。4.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中前述核形成层系形成多数层,形成在记录层侧之核形成层的表面张力设成比形成在反射层侧之核形成层的表面张力强。5. 如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中前述记录层系设成可在结晶状态及非结晶状态之间相转移,而在结晶状态之反射率与在非结晶状态之反射率不同。6.一种光磁性记录媒体,系于基板上顺序形成反射层及具有垂直磁性异方性的记录层,从记录层侧照射光线而进行资讯之记录再生,其特征在于:将表面具有凹凸之核形成层形成在前述反射层与记录层之间。7.如申请专利范围第6项之光磁性记录媒体,其中前述核形成层系从包含W、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Cr、Pt、Ti、P、Au、Cu、Al、Ag、Si、Gd、Tb、Nd及Pd所构成之群选择之一种或二种以上元素的材料所形成。8.如申请专利范围第6或7项之光磁性记录媒体,其中前述核形成层之表面粗糙度设成0.3nm~1.5nm。9.如申请专利范围第6或7项之光磁性记录媒体,其中前述核形成层系形成多数层,形成在记录层侧之核形成层的表面张力设成比形成在反射层侧之核形成层的表面张力强。10.如申请专利范围第6或7项之光磁性记录媒体,其中用以消除因前述记录层之磁化所产生之反磁场,而于前述反射层与核形成层之间设置具有垂直磁性异方性的记录补助层。11.如申请专利范围第10项之光磁性记录媒体,其中前述记录层为迁移金属磁化优势的情形下,前述记录补助层设为稀土类磁化优势。12.如申请专利范围第10项之光磁性记录媒体,其中前述记录层为稀土类磁化优势的情形下,前述记录补助层设迁移金属磁化优势。13.如申请专利范围第10项之光磁性记录媒体,其中前述记录层及记录补助层为迁移金属磁化优势的情形下,将记录补助层之居里(Curie)温度设成比记录层之居里温度高。14.如申请专利范围第10项之光磁性记录媒体,其中前述记录层及记录补助层为稀土类磁化优势的情形下,将记录补助层之居里温度设成比记录层之居里温度高。15.一种资讯记录再生装置,系使用申请专利范围第1或2项所记载之光记录媒体或申请专利范围第6或7项所记载之光磁性记录媒体之其中任何媒体而进行资讯之记录再生。图式简单说明:第1图表示习知前置照明方式光磁性记录媒体的积层构造模式图。第2图表示本发明之光磁性记录媒体之概略性的积层构造模式图。第3图(a)、(b)表示反射层之表面形状状态的模式图。第4图表示本发明之第1实施样态之光磁性记录媒体(媒体A)之积层构造模式图。第5图表示习知之光磁性记录媒体(媒体C)之积层构造模式图。第6图表示媒体A、B、C之Hw-CNR特性的曲线图。第7图系比较媒体A、B、C之特性的图表。第8图表示媒体A、B、C之标记长度一跳动特性的曲线图。第9图(a)、(b)系说明积层构造之表面张力与表面形状之关系的模式图。第10图表示元素等之表面张力的图表。第11图表示核形成层材料所造成之表面张力、表面粗糙度、表面粒径周期、记录层保磁力等特性的图表。第12图表示积层核形成层之情形下之特性的图表。第13图表示从媒体D除外记录补助层之光磁性记录媒体(媒体E)之积层构造的模式图。第14图表示媒体D、E之Hw-CNR特性的曲线图。第15图(a)、(b)系说明本发明之第2实施样态之光磁性记录媒体(媒体F)之记录补助层作用的模式图。第16图系说明本发明之第2实施样态之光磁性记录媒体(媒体G)之记录补助层作用的模式图。第17图表示媒体D、F、G之标记长度-跳动特性的曲线图。第18图表示本发明之第3实施样态之RAD方式光磁性记录媒体(媒体H)之积层构造的模式图。第19图表示习知之RAD方式光磁性记录媒体(媒体I)之积层构造的模式图。第20图系比较媒体H、I、J特性的图表。第21图表示本发明之第4实施样态之DWDD方式光磁性记录媒体(媒体K)之积层构造的模式图。第22图表示习知之DWDD方式光磁性记录媒体(媒体L)之积层构造的模式图。第23图系比较媒体K、L、M特性的图表。第24图表示本发明之第5实施样态之相变化方式光记录媒体(媒体N)之积层构造的模式图。第25图系比较媒体N、P特性的图表。第26图表示本发明之第6实施样态之资讯记录再生装置之概略的方块图。 |
