半导体雷射

摘要

〔课题〕本发明系在对多层量子井构造的活性层施行调变掺杂的半导体雷射中，充分提升发光效率及调变频宽。〔解决手段〕本发明之半导体雷射，系在p-覆盖层与n-覆盖层之间设置活性层，而该活性层系设有具复数个阻障层与井层的多层量子井，且至少对一个阻障层施行p型调变掺杂。更具体而言，乃提供一种在靠近p-覆盖层之位置处的阻障层之p型调变掺杂量，较少于靠近n-覆盖层之位置处的阻障层之p型调变掺杂量的半导体雷射。藉此便可抑制非发光再结合，且提升微分增益与高速响应性。同时，因为在距 p-覆盖层较远的井层中，正孔密度将变高，因此可改善载子的不均匀性。伍、(一)、本案代表图为：第2图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：2~p-覆盖层； 3~光封闭层；5~光封闭层； 6~n-覆盖层；20~周围； 21~价能带侧；22~正孔； 24~阻障层；25~p型掺杂； 26~传导带侧；27~电子； 28~光。

主权项

1.一种半导体雷射,在p-覆盖层与n-覆盖层之间设置活性层,而该活性层系设有具复数个阻障层与井层的多层量子井,且至少对一个阻障层施行p型调变掺杂;其中,在靠近该p-覆盖层之位置虚的该阻障层之p型调变掺杂量,较少于靠近该n-覆盖层之位置处的该阻障层之p型调变掺杂量。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射,其中,该p型调变掺杂量系对应着距上述p-覆盖层的距离而决定。3.如申请专利范围第2项之半导体雷射,其中,该p型调变掺杂量系越靠近该p-覆盖层之位置处的阻障层,将逐渐变少。4.如申请专利范围第2项之半导体雷射,其中,该p型调变掺杂量系对较既定位置的阻障层更靠近该n-覆盖层之位置处的1以上阻障层,施行第1掺杂量,而对较既定位置的阻障层更靠近该p-覆盖层之位置处的1以上阻障层,施行较少于第1掺杂量的第2掺杂量。图式简单说明:第1图所示系半导体雷射之层构造剖视图。第2图系半导体雷射(第1图)之多层量子井活性层周围的能量概念图。第3图中,(a)系分布回馈型雷射之构造剖视图;(b)系黑反射型雷射之构造剖视图。第4图系半导体雷射之活性层的多层量子井活性层能量概念图。